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龙图腾网恭喜武汉光谷量子技术有限公司申请的专利一种SPAD同轴型TO器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513334B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211143990.5，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种SPAD同轴型TO器件及其制作方法是由熊祎灵;于华伟;曾磊设计研发完成，并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SPAD同轴型TO器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种SPAD同轴型TO器件及其制作方法，涉及同轴型光电器件技术领域，该制作方法包括：将SPAD进行管帽封焊后，安装至耦合焊接平台器件底座，获取SPAD的初始耦光位置；依次在多个预设的对准偏置电压下，通过逐行扫描方式获取每个耦光位置对应光生电流的三维分布，进而得到多个二维截面数据；基于每个对准偏置电压下的多个二维截面数据，获取满足预设条件的对准偏置电压作为初始耦光条件；在初始耦光条件下，当尾纤的入射光线汇聚于有源区几何中心位置、且轴向上汇聚于SPAD芯片吸收层内时，将尾纤和SPAD器件进行焊接，得到SPAD同轴型TO器件。本申请，可有效减小暗计数率，提升相同过偏压下的单光子探测效率。

本发明授权一种SPAD同轴型TO器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种SPAD同轴型TO器件制作方法，其特征在于，其包括步骤：将SPAD进行管帽封焊后，安装至耦合焊接平台器件底座，获取SPAD输出峰值光电流时的位置和角度，作为SPAD的初始耦光位置；依次在多个预设的对准偏置电压下，自初始耦光位置，通过逐行扫描方式获取每个耦光位置对应光生电流的三维分布，进而得到沿不同方向面进行截面的多个二维截面数据；所述二维截面数据中，横坐标为对应截面的耦光位置，纵坐标为光生电流值；基于每个对准偏置电压下的多个二维截面数据，获取满足预设条件的对准偏置电压作为初始耦光条件；所述预设条件为：光生电流电场均匀且无边缘击穿、以及光生电流在有源区边缘下降速率大于第一速率阈值；在所述初始耦光条件下，当尾纤的入射光线汇聚于有源区几何中心位置、且轴向上汇聚于SPAD芯片吸收层内时，将尾纤和SPAD器件进行焊接固定，得到SPAD同轴型TO器件。

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