恭喜贵州航天电子科技有限公司吴培华获国家专利权
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龙图腾网恭喜贵州航天电子科技有限公司申请的专利一种低剖面硅基CMOS相控阵天线获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115441190B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211130197.1,技术领域涉及:H01Q3/34;该发明授权一种低剖面硅基CMOS相控阵天线是由吴培华;宋常亮;高建国;刘志翔设计研发完成,并于2022-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低剖面硅基CMOS相控阵天线在说明书摘要公布了:一种低剖面硅基CMOS相控阵天线,包括天线单元、复合基板、TR芯片、和差器、刚扰板以及波控板,所述复合基板为圆盘状,所述天线单元固定于复合基板的上表面,所述TR芯片的一端固定连接于复合基板的下表面,另一端与所述和差器的上表面接触;所述和差器为金属腔体结构,上端连接于所述复合基板的下表面;所述波控板固定于所述和差器的下端面上,所述刚扰板包裹于和差器外部,一端与复合基板连接,另一端与所述波控板连接。通过本发明的实施,提供了一种低剖面硅基CMOS相控阵天线,解决了传统砖块式和瓦块式相控阵天线集成度低、成本高,难以满足三毫米频段相控阵天线集成度和成本要求的难题。
本发明授权一种低剖面硅基CMOS相控阵天线在权利要求书中公布了:1.一种低剖面硅基CMOS相控阵天线,其特征在于:包括天线单元、复合基板、TR芯片、和差器、刚扰板以及波控板,所述复合基板为圆盘状,所述天线单元固定于复合基板的上表面,所述TR芯片的一端固定连接于复合基板的下表面,另一端与所述和差器的上表面接触;所述和差器为金属腔体结构,上端连接于所述复合基板的下表面;所述波控板固定于所述和差器的下端面上,所述刚扰板包裹于和差器外部,一端与复合基板连接,另一端与所述波控板连接;所述TR芯片为64个,每16个为一个象限,均布于复合基板的下表面上;还包括功分器,所述功分器为4个,每个象限的16个TR芯片通过1个功分器与和差器电路连接;所述和差器内部设有和差网络,与所述TR芯片电路连接。
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