恭喜长江存储科技有限责任公司谢海波获国家专利权
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龙图腾网恭喜长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构及制备方法、外围电路、存储器以及存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312457B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211113632.X，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及制备方法、外围电路、存储器以及存储系统是由谢海波;桑瑞设计研发完成，并于2022-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及制备方法、外围电路、存储器以及存储系统在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、一种外围电路、一种存储器以及一种存储系统。制备方法包括：形成包括第一阱区和第二阱区的基底；在第一阱区上方形成第一栅氧化层，在第二阱区上方形成第二栅氧化层，在垂直于基底的第一方向，第一栅氧化层的厚度大于第二栅氧化层的厚度；在第一栅氧化层和第二栅氧化层上覆盖栅极层；去除部分栅极层以形成位于第一阱区的第一栅极和位于第二阱区的第二栅极，在第一方向上第一栅极的顶部和第二栅极的顶部位于不同的高度处，且第一栅极和第二栅极具有相同的高度。该制备方法可减少形成高低压栅极的过程中可能出现的缺陷，提高高低压栅极在侧壁形貌和高度方面的一致性，从而提高半导体器件的良率和可靠性。
本发明授权半导体结构及制备方法、外围电路、存储器以及存储系统在权利要求书中公布了：1.一种制备半导体结构的方法，其特征在于，所述方法包括：形成包括第一阱区和第二阱区的基底；在所述第一阱区上方形成第一栅氧化层以及在所述第二阱区上方形成第二栅氧化层，其中在垂直于所述基底的第一方向，所述第一栅氧化层的厚度大于所述第二栅氧化层的厚度；在所述第一栅氧化层和所述第二栅氧化层上覆盖栅极层，并去除部分所述栅极层，以形成位于所述第一阱区的第一栅极和位于所述第二阱区的第二栅极，其中，在所述第一方向上，所述第一栅极的顶部和所述第二栅极的顶部位于不同的高度处，以及所述第一栅极和所述第二栅极具有相同的高度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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