恭喜中国科学院长春光学精密机械与物理研究所孟德佳获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利基于全介质超表面的窄带红外吸收体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115685420B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211093602.7，技术领域涉及：G02B5/00；该发明授权基于全介质超表面的窄带红外吸收体是由孟德佳;杨福明;刘文军;秦正;史晓燕设计研发完成，并于2022-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于全介质超表面的窄带红外吸收体在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于全介质超表面的窄带红外吸收体，包括基底、介质基层、介质损耗层和介质谐振器阵列，介质基层设置在基底上；介质损耗层设置在介质基层上；介质谐振器阵列设置在介质损耗层上。本发明使用高折射率的介质谐振器代替了金属谐振器，无欧姆损耗，从而可以实现高品质因数的窄带吸收，且将介质损耗层与介质谐振器阵列进行分层设计，利用对中红外波段无损耗的介质谐振器实现窄带响应；通过引入介质损耗层提升谐振效果，实现了对中红外波段吸收效率的提升，克服了谐振器损耗与吸收带宽相互矛盾的问题。
本发明授权基于全介质超表面的窄带红外吸收体在权利要求书中公布了：1.一种基于全介质超表面的窄带红外吸收体，其特征在于，包括：基底；介质基层，其设置在所述基底上；介质损耗层，其设置在所述介质基层上；介质谐振器阵列，其设置在所述介质损耗层上；所述介质谐振器阵列包括N个按周期排列的介质谐振器，其中N为正整数，所述介质谐振器为微结构；中红外波段在所述介质基层或所述介质谐振器阵列中的损耗率均小于在所述介质损耗层中的损耗率；所述介质基层对中红外波段的折射率小于所述介质谐振器对中红外波段的折射率。
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