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龙图腾网恭喜华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请的专利高散热三维扇出封装结构及成型方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115346968B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211031386.3，技术领域涉及：H01L25/065；该发明授权高散热三维扇出封装结构及成型方法是由张凯设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本高散热三维扇出封装结构及成型方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高散热三维扇出封装结构及成型方法。其包括塑封第一基体以及塑封第二基体，塑封第二基体与塑封第一基体对准组装，以配置形成所需的封装体，其中，在所述封装体内，上互联芯片单元与下互联芯片单元正对准接触后适配互联，以配置形成所需的芯片单元间互联体，所形成的芯片单元间互联体通过正面转接引出单元与塑封体基层进行所需的互联；塑封第二基体散热单元与塑封第一基体散热单元导电连接，以配置形成所需的散热通道；通过塑封体基层背面的封装引出单元将上述对准组装形成的封装体引出。本发明能有效提高封装密度，并实现高封装密度下的高效散热，与现有工艺兼容，安全可靠。

本发明授权高散热三维扇出封装结构及成型方法在权利要求书中公布了：1.一种高散热三维扇出封装结构，其特征是，包括：塑封第一基体，包括塑封体基层、设置于塑封体基层背面的封装引出单元、塑封于所述塑封体基层正面上的塑封第一基体芯片单元以及用于对所述塑封第一基体芯片单元散热的塑封第一基体散热单元，其中，所述塑封第一基体芯片单元包括直接与塑封体基层互联的直联芯片单元、分布于直联芯片单元上方的下互联芯片单元以及用于转接连接的正面转接引出单元；塑封第二基体，包括用于与下互联芯片单元适配互联的上互联芯片单元、用于对上互联芯片单元散热的塑封第二基体散热单元以及用于将上互联芯片单元、塑封第二基体散热单元塑封成一体的塑封第二基体塑封层；塑封第二基体与塑封第一基体对准组装，以配置形成所需的封装体，其中，在所述封装体内，上互联芯片单元与下互联芯片单元正对准接触后适配互联，以配置形成所需的芯片单元间互联体，所形成的芯片单元间互联体通过正面转接引出单元与塑封体基层进行所需的互联；塑封第二基体散热单元与塑封第一基体散热单元导电连接，以配置形成所需的散热通道；通过塑封体基层背面的封装引出单元将上述对准组装形成的封装体引出。

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