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龙图腾网恭喜成都华微电子科技股份有限公司申请的专利R-2R梯形电阻网络电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115441876B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210982382.7，技术领域涉及：H03M1/80；该发明授权R-2R梯形电阻网络电路是由魏娟;王策;李国;万辉;白璐设计研发完成，并于2022-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本R-2R梯形电阻网络电路在说明书摘要公布了：R‑2R梯形电阻网络电路，涉及集成电路技术。本发明包括R‑2R电阻网络和开关电压电平转换电路，所述R‑2R电阻网络的各条可控电阻臂均带有一个开关，开关由一个PMOS开关管和一个NMOS开关管并联构成，可控电阻臂中的两个MOS开关管漏极相接，NMOS开关管的源极接第一外部电压点，PMOS开关管的源极接第二外部电压点；还包括一个电压自适应电路，所述电压自适应电路包括第一电阻支路、第二电阻支路和一个运放。本发明可以规避掉因PN开关管工艺差异而造成的导通阻抗不一致问题，保证了正负基准导通情况下开关电阻的一致性，提高了整体数模转换器的线性度。

本发明授权R-2R梯形电阻网络电路在权利要求书中公布了：1.R-2R梯形电阻网络电路，包括R-2R电阻网络和开关电压电平转换电路，所述R-2R电阻网络的各条可控电阻臂均带有一个开关，其特征在于，开关由一个PMOS开关管和一个NMOS开关管并联构成，可控电阻臂中的两个MOS开关管漏极相接，NMOS开关管的源极接第一外部电压点，PMOS开关管的源极接第二外部电压点；还包括一个电压自适应电路，所述电压自适应电路包括第一电阻支路、第二电阻支路和一个运放，第一PMOS管、第一电阻（R1）、第二电阻（R2）和第一NMOS管构成第一电阻支路；第一PMOS管栅极接地电平（VSS），源极接第一外部电压点，漏极接第一电阻（R1）；第一NMOS管源极接第二外部电压点，漏极接第二电阻（R2），第一电阻（R1）和第二电阻（R2）的连接点与运放的正性输入端连接；串联于第一外部电压点和第二外部电压点之间的第三电阻R3和第四电阻（R4）构成第二电阻支路，第三电阻（R3）和第四电阻（R4）的连接点与运放的负性输入端连接；运放的输出端作为电压自适应电路的输出端，与第一NMOS管的栅极连接。

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