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龙图腾网恭喜上海积塔半导体有限公司申请的专利介质膜层的制备方法以及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295411B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210971736.8，技术领域涉及：H01L21/3105；该发明授权介质膜层的制备方法以及半导体器件是由叶蕾;独虎;王峰设计研发完成，并于2022-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本介质膜层的制备方法以及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种介质膜层的制备方法以及半导体器件，属于半导体制造领域，方法包括在基底上设置金属电极；采用高压应力材料在所述基底及所述金属电极上形成第一氧化硅层，所述第一氧化硅层厚度大于所述金属电极的厚度；研磨所述第一氧化硅层，直至所述金属电极显露在所述第一氧化硅层的表面；在所述第一氧化硅层和所述金属电极表面通过低压应力材料沉积第二氧化硅层，所述第一氧化硅层和所述第二氧化硅层构成介质膜层，所述低压应力材料的压应力低于所述高压应力材料的压应力，所述高压应力材料的压应力取值范围不小于150MPa。通过本申请的处理方案，避免金属电极间漏电，提升了工艺的可靠性。

本发明授权介质膜层的制备方法以及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种介质膜层的制备方法，其特征在于，包括：在基底上设置金属电极；采用高压应力材料在所述基底及所述金属电极上形成第一氧化硅层，所述第一氧化硅层厚度大于所述金属电极的厚度；研磨所述第一氧化硅层，直至所述金属电极显露在所述第一氧化硅层的表面；在所述第一氧化硅层和所述金属电极表面通过低压应力材料沉积第二氧化硅层，所述第一氧化硅层和所述第二氧化硅层构成介质膜层，所述低压应力材料的压应力低于所述高压应力材料的压应力，所述高压应力材料的压应力取值范围不小于150Mpa，所述采用高压应力材料在所述基底及所述金属电极上形成第一氧化硅层，包括：将处理室中的压强设置为预定压强范围，将所述基底的温度设置为预定温度范围；将处理气体混合物供应到气体分配装置，其中所述处理气体混合物包括高压应力材料的气体、包含氧物质的气体、以及氩气，其中所述氩气占所述处理气体混合物体积的超过20％；采用高密度等离子体化学气相沉积方法将所述高压应力材料在所述基底及所述金属电极上沉积二氧化硅，形成第一氧化硅层，所述低压应力材料为硅酸四乙酯、旋涂玻璃原料中的任意一种，所述高压应力材料的气体是含硅气体源，通过低压应力材料沉积第二氧化硅层以避免再发生开裂问题，从而避免金属电极间漏电。

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