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龙图腾网恭喜友达光电股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101543B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210835537.4，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权半导体装置及其制造方法是由杨谨嘉;陈文斌;陈祖伟设计研发完成，并于2022-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体装置及其制造方法，其中该半导体装置包括基板、金属氧化物半导体层、第一栅极、源极以及漏极。金属氧化物半导体层的材料包括铟锌氧化物、铟钨氧化物、铟钨锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟镓锡氧化物以及铟镓锌锡氧化物中的至少一者。金属氧化物半导体层包括第一掺杂区、第二掺杂区、位于第一掺杂区与第二掺杂区之间的沟道区、位于第一掺杂区中的第一结晶区以及位于第二掺杂区中的第二结晶区。第一结晶区与第二结晶区的结晶度大于沟道区的结晶度。源极以及漏极分别电连接第一结晶区与第二结晶区。

本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括：基板；金属氧化物半导体层，位于该基板之上，且该金属氧化物半导体层的材料包括铟锌氧化物、铟钨氧化物、铟钨锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟镓锡氧化物以及铟镓锌锡氧化物中的至少一者，且该金属氧化物半导体层包括第一掺杂区、第二掺杂区、位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的沟道区、位于第一掺杂区中的一第一结晶区以及位于该第二掺杂区中的第二结晶区，且该第一结晶区与该第二结晶区的结晶度大于该沟道区的结晶度，其中该沟道区的载流子迁移率为30cm2Vs至100cm2Vs，且该沟道区的铟浓度为25mol％至40mol％；第一栅极，重叠于该金属氧化物半导体层的该沟道区；源极以及漏极，分别电连接该第一结晶区与该第二结晶区，其中该第一结晶区与该第二结晶区的铟浓度大于该沟道区的铟浓度；第一氧化物层，位于该源极与该第一结晶区之间；第二氧化物层，位于该漏极与该第二结晶区之间，其中该第一氧化物层与该第二氧化物层本身为不导电的材料，该第一氧化物层与该第二氧化物层包含氧元素以及该源极与该漏极中的金属元素；以及介电层，位于该金属氧化物半导体层上，且具有重叠于该第一结晶区的第一通孔以及重叠于该第二结晶区的第二通孔，其中该源极与该漏极分别填入该第一通孔以及该第二通孔，且其中该第一通孔的底部于该基板上的垂直投影面积小于该第一结晶区于该基板上的垂直投影面积，且该第二通孔的底部于该基板上的垂直投影面积小于该第二结晶区于该基板上的垂直投影面积，该第一氧化物层与该第二氧化物层分别位于该第一通孔以及该第二通孔内。

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