买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜友达光电股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050837B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210831362.X，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体装置是由陈衍豪;黄震铄;范扬顺设计研发完成，并于2022-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体装置，包括第一栅极、第二栅极、第三栅极、第一半导体层、第二半导体层、源极以及漏极。第一半导体层位于第一栅极与第二栅极之间。第二栅极位于第一半导体层与第二半导体层之间。第二半导体层位于第二栅极与第三栅极之间。源极电连接第一半导体层以及第二半导体层。漏极电连接第一半导体层以及第二半导体层。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括：第一栅极、第二栅极以及第三栅极；第一半导体层以及第二半导体层，其中该第一半导体层位于该第一栅极与该第二栅极之间，该第二栅极位于该第一半导体层与该第二半导体层之间，且该第二半导体层位于该第二栅极与该第三栅极之间；源极，电连接该第一半导体层以及该第二半导体层；漏极，电连接该第一半导体层以及该第二半导体层，其中该第二半导体层具有第一通孔以及第二通孔，该源极穿过该第一通孔以电连接该第一半导体层，且该漏极穿过该第二通孔以电连接该第一半导体层；以及绝缘结构，包括：第一栅介电层，位于该第一栅极与该第一半导体层之间；第二栅介电层，位于该第一半导体层与该第二栅极之间；第三栅介电层，位于该第二栅极与该第二半导体层之间，其中第一接触孔以及第二接触孔贯穿该第二栅介电层以及该第三栅介电层，且该第一接触孔以及该第二接触孔分别重叠于该第一通孔以及该第二通孔，该源极以及该漏极分别填入该第一接触孔以及该第二接触孔；以及第四栅介电层，位于该第二半导体层与该第三栅极之间，其中第三接触孔以及第四接触孔贯穿该第四栅介电层，且该第三接触孔以及该第四接触孔分别重叠于该第一通孔以及该第二通孔，该源极以及该漏极分别填入该第三接触孔以及该第四接触孔，其中该第二半导体层覆盖该第一接触孔的部分侧壁以及该第二接触孔的部分侧壁。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人友达光电股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹科学工业园区；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。