恭喜湖北科技学院徐海红获国家专利权
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龙图腾网恭喜湖北科技学院申请的专利一种基于角度古斯-汉森位移的电介质折射率传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115112608B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210783206.0，技术领域涉及：G01N21/41；该发明授权一种基于角度古斯-汉森位移的电介质折射率传感器及其制备方法是由徐海红;陈小玲;赵东设计研发完成，并于2022-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于角度古斯-汉森位移的电介质折射率传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于角度古斯‑汉森位移的电介质折射率传感器，其结构可表示为DBANBBABN，其中N为光子晶体的周期数，A、B分别为折射率不同的电介质薄片，D为半球形电介质光波导，且B为待测折射率的电介质薄片；在结构中心两层BB的分界面处，存在拓扑边界态。本发明还提供了上述电介质折射率传感器的制备方法。本发明利用光子晶体的拓扑边界态附近的角度古斯‑汉森位移，实现对电介质折射率的精确测量，即角度古斯‑汉森位移是入射角和折射率函数，固定光波的入射角，通过测量反射光的角度古斯汉森‑位移大小，对比出电介质的折射率。
本发明授权一种基于角度古斯-汉森位移的电介质折射率传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于角度古斯-汉森位移的电介质折射率传感器，其特征在于，所述电介质折射率传感器的结构表示为DBANBBABN，将电介质入射波导D置于多层电介质结构BANBBABN的一端，入射波为TM激化波，从光波导D入射进光子多层，其中N为光子晶体的周期数，A、B分别为折射率不同的电介质薄片，D为半球形电介质光波导，且B为待测折射率的电介质薄片；即除去入射波导D，整个结构的主体由两个光子多层结构BANB和BABN组成，两个光子多层结构关于中心点对称分布并复合成结构BANBBABN，在其中心两层BB的分界面处，存在拓扑边界态。
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