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龙图腾网恭喜扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利一种Si基GaN- HEMT器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101408B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210739161.7，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权一种Si基GaN- HEMT器件的制备方法是由代书雨;周理明;徐峰;王毅设计研发完成，并于2022-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Si基GaN- HEMT器件的制备方法在说明书摘要公布了：一种Si基GaN‑HEMT器件的制备方法。涉及半导体技术领域。包括以下步骤:S100，在外延片上制备U型槽；S200，在U型槽内从下而上依次制备P型Si和N型Si；S300，在U型槽内制备SiO2薄膜；S400，在U型槽中制备多晶硅；S500，在多晶硅的上方制备栅电极；S600，刻蚀漏电极区域，并制备漏电极；S700，背面处理，并制备源电极。进一步，步骤S100中，所述外延片包括在Si衬底上依次形成的缓冲层、GaN本征层和AlGaN势垒层。本发明节约了芯片表面源极PAD区域面积；避免了目前主流的P‑GaN增强型器件刻蚀引起的界面态问题和高频电流崩塌效应，从而推动Si基GaNHEMT在电力电子领域的发展和应用。

本发明授权一种Si基GaN- HEMT器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Si基GaN-HEMT器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤:S100，在外延片上制备U型槽；步骤S100中，所述外延片包括在Si衬底（2）上依次形成的缓冲层（3）、GaN本征层（4）和AlGaN势垒层（6）；S200，在U型槽内从下而上依次制备P型Si（11）和N型Si（7）；S300，在U型槽内制备SiO2薄膜（10）；S400，在U型槽中制备多晶硅（9）；S500，在多晶硅（9）的上方制备栅电极（8）；S600，刻蚀漏电极区域，并制备漏电极（5）；S700，背面处理，并制备源电极（1）；P型Si（11）从U型槽的内侧壁到SiO2薄膜（10）的水平方向厚度为10nm-1um；P型Si（11）和N型Si（7）的水平方向厚度分别为10nm-1um，确保P型Si（11）在栅极正向偏压条件下形成饱和电流通道，P型Si（11）上表面低于GaNHEMT器件二维电子气所在水平面，N型Si（7）上表面与AlGaN势垒层（6）上表面齐平。

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