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龙图腾网恭喜华兴通信技术有限公司申请的专利一种毫米波集成电路中的空气桥制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132650B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210740605.9，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种毫米波集成电路中的空气桥制作方法是由刘平堂;陈庆设计研发完成，并于2022-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种毫米波集成电路中的空气桥制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种毫米波集成电路中的空气桥制作方法，属于半导体器件技术领域，具体包括：基于寄生电容控制要求确认空气桥两侧地面挖缺口的最小尺寸以及空气桥桥面挖方孔的最小尺寸；通过两种方式对空气桥的寄生电容进行改造得到空气桥模型；基于空气桥模型，对所述空气桥进行受力情况分析得到分析结果；确认空气桥是否稳定，若处于稳定状态，则进一步加大空气桥的两侧地面挖缺口的尺寸以及空气桥桥面挖方孔的尺寸，并继续进行受力情况分析，若处于非稳定状态，则采用第一尺寸阈值减小空气桥的两侧地面挖缺口的尺寸以及空气桥桥面挖方孔的尺寸，并将作为最终的空气桥制作方案，从而将综合考虑受力情况以及寄生电容，进一步提升了半导体器件的可靠性。

本发明授权一种毫米波集成电路中的空气桥制作方法在权利要求书中公布了：1.一种毫米波集成电路中的空气桥制作方法，其特征在于，具体包括：S1确定半导体器件的空气桥寄生电容控制要求，基于所述寄生电容控制要求确认空气桥两侧地面挖缺口的最小尺寸以及空气桥桥面挖方孔的最小尺寸；S2基于所述空气桥两侧地面挖缺口的最小尺寸以及空气桥桥面挖方孔的最小尺寸，通过所述空气桥的两侧地面挖缺口的方式、所述空气桥桥面挖方孔的方式对所述空气桥的寄生电容进行改造得到空气桥模型；S3基于所述空气桥模型，对所述空气桥进行受力情况分析得到分析结果；S4根据所述分析结果确认空气桥是否稳定，若处于稳定状态，则采用第三尺寸阈值进一步加大所述空气桥的两侧地面挖缺口的尺寸以及空气桥桥面挖方孔的尺寸，并继续返回步骤S2进行受力情况分析，若处于非稳定状态，则进入步骤S4；S5采用第一尺寸阈值减小所述空气桥的两侧地面挖缺口的尺寸以及空气桥桥面挖方孔的尺寸，并确认此时的所述空气桥的两侧地面挖缺口的尺寸以及空气桥桥面挖方孔的尺寸，并将作为最终的空气桥制作方案；所述第一尺寸阈值根据空气桥的尺寸进行确定，其单位为平方微米；所述第三尺寸阈值为0.05平方微米。

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