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龙图腾网恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种低功耗相变存储器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115036417B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210480717.5，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权一种低功耗相变存储器的制备方法是由方文成;蔡道林;李程兴;宋志棠;冯高明设计研发完成，并于2022-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低功耗相变存储器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种低功耗相变存储器的制备方法。该制备方法包括：1在衬底上生长第一介质层，并形成圆柱状底电极；2在第一介质层上形成第二介质层，光刻和刻蚀形成纵向的沟槽1，3在沟槽1内形成“倒几字”型相变材料层，回刻蚀；4在形成的侧壁相变结构上生长第三电介质层，然后生长第四电介质层并填满沟槽1，抛光；5生长导电薄膜层，并通过光刻和刻蚀形成纵向条状导电线条；6生长第五电介质层，然后生长第六电介质层并填满导电线条之间的沟槽2，抛光；7圆孔1光刻和刻蚀，孔内填充导电材料，然后抛光，形成顶电极。该方法制备的相变材料层以片状形式存在，大大减小了相变材料的体积有利于功耗的降低。

本发明授权一种低功耗相变存储器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低功耗相变存储器的制备方法，包括：1提供一衬底，在所述衬底上生长第一介质层，并形成镶嵌于第一介质层并且顶部暴露的圆柱状底电极；2在步骤1中包含圆柱状底电极的第一介质层上形成第二介质层，将第二介质层进行光刻和刻蚀形成纵向的沟槽，沟槽的底面停留在第一介质层上表面，沟槽的两个侧面分别位于第一介质层上纵向相邻两排圆柱状底电极的中心线上，使得每个底电极有一半的面积暴露在沟槽的底面；3在步骤2中沟槽内形成“倒几字”型相变材料层，对相变材料层进行回刻蚀，使得沟槽外以及沟槽底部的相变材料刻蚀完全，只留下沟槽侧壁上的相变材料，侧壁上的相变材料底部与下方底电极接触；其中，所述回刻蚀包括反应离子刻蚀或等离子体耦合刻蚀；4在步骤3中形成的侧壁相变结构上生长第三电介质层，在第三电介质层上生长第四电介质层并填满沟槽，抛光将沟槽外的材料去除，直至侧壁相变结构的顶部暴露出来；5在步骤4中抛光后的整体结构上生长导电薄膜层，并通过光刻和刻蚀形成纵向条状导电线条，导电线条底部中心位于侧壁相变结构上；6在步骤5形成的结构上生长第五电介质层，在第五电介质层上生长第六电介质层并填满导电线条之间的沟槽，然后通过抛光将第六电介质层表面进行平坦化；7在步骤6中平坦化的第六电介质层上进行圆孔光刻和刻蚀，圆孔的中心位于导电线条纵向中心线上，在圆孔内填充导电材料直至填满，然后抛光去除圆孔外的导电材料直至与第六电介质层上表面齐平，作为顶电极。

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