恭喜中北大学梁庭获国家专利权
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龙图腾网恭喜中北大学申请的专利一种MEMS超薄悬浮膜释放方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114852952B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210373580.3,技术领域涉及:B81C1/00;该发明授权一种MEMS超薄悬浮膜释放方法是由梁庭;关一浩;雷程;熊继军;武学占设计研发完成,并于2022-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MEMS超薄悬浮膜释放方法在说明书摘要公布了:本发明的目的在于提供一种适用于批量化、低成本、较简便的超薄悬浮膜释放方法,属于MEMS传感器技术领域,本发明在干法刻蚀过程中通过引入贴片环,贴片环光刻胶形成台阶,使得正面保护的陪片与膜结构不直接接触,避免了之后膜分离时的外力损伤。贴片环位于晶圆一圈,属于密闭环,避免刻蚀气体进入空隙造成损伤。适用于批量化、低成本、较简便的超薄悬浮膜释放。
本发明授权一种MEMS超薄悬浮膜释放方法在权利要求书中公布了:1.一种MEMS超薄悬浮膜释放方法,其特征在于:包括如下步骤:第一步,采用薄膜沉积方法制备支撑膜层,在支撑膜层上预先制备悬浮膜,得到晶圆结构;第二步,在晶圆正面结构制备完成后,在晶圆背面进行背腔刻蚀区域的图形化;第三步,直接通过深硅刻蚀进行干法刻蚀;第四步,设计并制备贴片环掩模版,取与支撑膜层同等大小的硅片作为陪片,在其抛光面将贴片环图形化,包括清洗、烘涂黏附剂、旋涂光刻胶、前烘、背面对准曝光、显影、显微镜检查、等离子体扫底膜、后烘,形成贴片环光刻胶台阶,贴片环后烘前,将之前刻蚀的膜结构晶圆正面朝下,切边对齐,通过贴片环光刻胶贴在陪片上,此时膜结构晶圆与陪片通过贴片环光刻胶相贴,但是中间结构区域处于悬空状态,不直接接触,放置热板后烘;第五步,将贴片环保护的晶圆继续通过深刻蚀进行干法刻蚀,观察直至完全刻蚀干净,露出透明膜层为止;第六步,最后通过棉棒蘸取有机溶剂的方式擦拭边缘贴片环光刻胶,使膜结构晶圆与陪片分离,完成膜结构释放。
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