恭喜中北大学梁庭获国家专利权
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龙图腾网恭喜中北大学申请的专利一种MEMS超薄悬浮膜释放方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114852952B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210373580.3，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种MEMS超薄悬浮膜释放方法是由梁庭;关一浩;雷程;熊继军;武学占设计研发完成，并于2022-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MEMS超薄悬浮膜释放方法在说明书摘要公布了：本发明的目的在于提供一种适用于批量化、低成本、较简便的超薄悬浮膜释放方法，属于MEMS传感器技术领域，本发明在干法刻蚀过程中通过引入贴片环，贴片环光刻胶形成台阶，使得正面保护的陪片与膜结构不直接接触，避免了之后膜分离时的外力损伤。贴片环位于晶圆一圈，属于密闭环，避免刻蚀气体进入空隙造成损伤。适用于批量化、低成本、较简便的超薄悬浮膜释放。
本发明授权一种MEMS超薄悬浮膜释放方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS超薄悬浮膜释放方法，其特征在于：包括如下步骤：第一步，采用薄膜沉积方法制备支撑膜层，在支撑膜层上预先制备悬浮膜，得到晶圆结构；第二步，在晶圆正面结构制备完成后，在晶圆背面进行背腔刻蚀区域的图形化；第三步，直接通过深硅刻蚀进行干法刻蚀；第四步，设计并制备贴片环掩模版，取与支撑膜层同等大小的硅片作为陪片，在其抛光面将贴片环图形化，包括清洗、烘涂黏附剂、旋涂光刻胶、前烘、背面对准曝光、显影、显微镜检查、等离子体扫底膜、后烘，形成贴片环光刻胶台阶，贴片环后烘前，将之前刻蚀的膜结构晶圆正面朝下，切边对齐，通过贴片环光刻胶贴在陪片上，此时膜结构晶圆与陪片通过贴片环光刻胶相贴，但是中间结构区域处于悬空状态，不直接接触，放置热板后烘；第五步，将贴片环保护的晶圆继续通过深刻蚀进行干法刻蚀，观察直至完全刻蚀干净，露出透明膜层为止；第六步，最后通过棉棒蘸取有机溶剂的方式擦拭边缘贴片环光刻胶，使膜结构晶圆与陪片分离，完成膜结构释放。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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