恭喜江西兆驰半导体有限公司张彩霞获国家专利权
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龙图腾网恭喜江西兆驰半导体有限公司申请的专利GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725257B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210366535.5，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管是由张彩霞;印从飞;程金连;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2022-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在说明书摘要公布了：本发明提供一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，GaN基发光二极管外延片包括多量子阱层，多量子阱层为量子阱层和量子垒层交替生长的周期性结构；其中，最后一个生长的量子垒层为复合量子垒层，复合量子垒层包括依次生长的InN子层、InAlGaN子层和AlN子层，InAlGaN子层的In组分沿外延生长方向渐变降低，且InAlGaN子层的Al组分沿外延生长方向渐变升高。本发明通过对最后一个量子垒做特殊设计，提升了量子阱层与P层的晶格匹配，能阶渐变过渡，有效的减小了量子阱与电子阻挡层价带形成的势垒尖峰，有利于空穴的注入，同时起到了部分电子阻挡层的作用，减少电子溢流，提升了发光二极管的发光效率，也有利于其抗静电能力的提升。
本发明授权GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种GaN基发光二极管外延片，其特征在于，包括多量子阱层，所述多量子阱层为量子阱层和量子垒层交替生长的周期性结构；其中，最后一个生长的量子垒层为复合量子垒层，所述复合量子垒层包括依次生长的InN子层、InAlGaN子层和AlN子层，所述InAlGaN子层的In组分沿外延生长方向渐变降低，且所述InAlGaN子层的Al组分沿外延生长方向渐变升高。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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