恭喜中国科学院合肥物质科学研究院曾雉获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院合肥物质科学研究院申请的专利辐照半导体中载流子捕获动力学模拟方法及装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114676575B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210318430.2,技术领域涉及:G06F30/20;该发明授权辐照半导体中载流子捕获动力学模拟方法及装置是由曾雉;刘俊设计研发完成,并于2022-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本辐照半导体中载流子捕获动力学模拟方法及装置在说明书摘要公布了:本发明公开一种辐照半导体中载流子捕获动力学模拟方法及装置,方法包括:获取退火所需的半导体中缺陷反应事件和参数列表;基于缺陷反应事件和参数列表,计算得到退火后的级联缺陷空间分布;基于退火后的级联缺陷空间分布,获取待模拟缺陷所在有效级联的半径和级联内缺陷平均浓度;以待模拟缺陷的半径和平均浓度,以及参数列表作为输入,求解改进后的基于SRH理论的速率方程,获取缺陷捕获载流子的动力学行为。本发明考虑级联缺陷的空间非均匀性和复杂的级联局域电势对载流子捕获的影响,采用更加真实的缺陷分布,严格求解出级联局域电势,尽可能做到不依赖或少依赖可调参数,准确模拟深能级缺陷捕获电子空穴的动力学行为。
本发明授权辐照半导体中载流子捕获动力学模拟方法及装置在权利要求书中公布了:1.一种辐照半导体中载流子捕获动力学模拟方法,其特征在于,所述方法包括:获取退火所需的半导体中缺陷反应事件和参数列表;基于所述缺陷反应事件和所述参数列表,计算得到退火后的级联缺陷空间分布;基于所述退火后的级联缺陷空间分布,获取待模拟缺陷所在有效级联的半径和级联内缺陷平均浓度;以所述待模拟缺陷所在有效级联的半径和级联内缺陷平均浓度,以及所述参数列表作为输入,求解改进后的基于SRH理论的速率方程,获取缺陷捕获载流子的动力学行为,包括:a、将所述待模拟缺陷所在有效级联的半径和级联内缺陷平均浓度,以及所述参数列表作为所述改进后的基于SRH理论的速率方程的输入;b、使用二分法迭代求解所述t时刻有效级联内的平均电子空穴密度获得所述待模拟缺陷的有效级联内电子平均密度,用于求解所述改进后的基于SRH理论的速率方程;c、使用开源的微分方程求解器lsoda,迭代求解所述改进后的基于SRH理论的速率方程,获得下一时刻带电缺陷的浓度;重复执行步骤b~c,直至所述改进后的基于SRH理论的速率方程达到平衡,带电缺陷的浓度及其对应的电子密度无变化,自洽求解结束,获取任意时刻静电势能垒、级联内载流子密度和缺陷电荷态转变比例;所述改进后的基于SRH理论的速率方程为: 其中,为电子空穴的热运动速率,Xj为带电荷j的缺陷X,为通过捕获电子空穴带上电荷j-1或j+1的缺陷X,为级联内带电缺陷Xj捕获电子空穴的截面,NCV为导带价带有效态密度,为带电缺陷发射电子空穴到导带底价带顶的激活能,为不同时刻带电缺陷的浓度,为t时刻有效级联内的平均电子空穴密度,为不同时刻带电缺陷Xj的浓度,kB为玻尔兹曼常数,T为温度。
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