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龙图腾网恭喜芯翼信息科技(上海)有限公司;芯翼信息科技(南京)有限公司申请的专利防倒灌的接口电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709806B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210297071.7，技术领域涉及：H02H11/00；该发明授权防倒灌的接口电路是由丁维贤;肖建宏设计研发完成，并于2022-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本防倒灌的接口电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种防倒灌的接口电路，包括供电模块、防倒灌逻辑发生模块、栅跟踪模块、输出驱动级晶体管和芯片工作电路，在芯片进入省电模式后，所述防倒灌逻辑发生模块将逻辑高电平输送至所述栅跟踪模块；所述栅跟踪模块在接收所述逻辑高电平后，输出第一高电平至所述输出驱动级晶体管的控制端；所述输出驱动级晶体管的控制端接收所述第一高电平后断开所述供电模块与所述芯片工作电路的电流通道。实现了防倒灌功能，避免了误唤醒芯片，保证芯片工作状态的稳定性，提高了芯片电源的安全性和使用寿命。

本发明授权防倒灌的接口电路在权利要求书中公布了：1.一种防倒灌的接口电路，其特征在于，包括供电模块、防倒灌逻辑发生模块、栅跟踪模块、输出驱动级晶体管和芯片工作电路，所述供电模块分别与所述防倒灌逻辑发生模块和所述栅跟踪模块连接，所述防倒灌逻辑发生模块连接所述栅跟踪模块，所述输出驱动级晶体管的源极连接所述供电模块，所述输出驱动级晶体管的漏极连接所述芯片工作电路，所述输出驱动级晶体管的控制端连接所述栅跟踪模块的输出端；在芯片进入省电模式后，所述防倒灌逻辑发生模块将逻辑高电平输送至所述栅跟踪模块；所述栅跟踪模块在接收所述逻辑高电平后，输出第一高电平至所述输出驱动级晶体管的控制端；所述输出驱动级晶体管的控制端接收所述第一高电平后断开所述供电模块与所述芯片工作电路的电流通道；其中，所述供电模块包括电池、IO电源和外部电源，所述电池连接所述IO电源，所述IO电源连接所述输出驱动级晶体管的源极，所述外部电源通过倒灌端连接所述输出驱动级晶体管的漏极；所述防倒灌逻辑发生模块包括第一PMOS管和第一NMOS管，所述第一PMOS管的源极连接所述栅跟踪模块和所述倒灌端，所述第一PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极，所述第一PMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的栅极和所述IO电源，所述第一NMOS管的源极接地；当芯片进入省电模式后，所述IO电源输出电压为0，所述外部电源产生所述逻辑高电平并通过所述倒灌端将所述逻辑高电平输送至所述第一PMOS管的源极；其中，还包括第二NMOS管，所述第二NMOS管的栅极连接所述第一PMOS管的漏极，所述第二NMOS管的漏极连接所述芯片工作电路，所述第二NMOS管的源极接地；当芯片进入省电模式后，所述IO电源输出电压为0，所述第一PMOS管的源极和漏极导通，并且所述第一PMOS管的漏极输出第二高电平至所述第二NMOS管的栅极；所述第二NMOS管的栅极接收所述第二高电平后，所述第二NMOS管的源极和所述第二NMOS管的漏极导通并将电流输出至地。

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