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龙图腾网恭喜中北大学申请的专利一种d₁₅模式铁电单晶薄膜压电振动传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114665006B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210276198.0，技术领域涉及：H10N30/30；该发明授权一种d₁₅模式铁电单晶薄膜压电振动传感器及其制备方法是由耿文平;丑修建;魏慧芬;毕开西;穆继亮;何剑;侯晓娟设计研发完成，并于2022-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种d₁₅模式铁电单晶薄膜压电振动传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种d15模式铁电单晶薄膜压电振动传感器及其制备方法，通过将底电极二氧化硅层硅基底与铌酸锂晶片进行键合，再依次进行减薄、化学机械抛光和清洗，得到铌酸锂单晶薄膜；在晶圆表面采用磁控溅射、离子束刻蚀剥离工艺制备对准标记及表面电极，接着采用离子束刻蚀法刻蚀铌酸锂单晶薄膜使其图形化，采用反应离子刻蚀法刻蚀二氧化硅层使其图形化，随后采用离子束刻蚀法刻蚀底电极使其图形化，最后采用深硅刻蚀工艺从硅基底正面制备悬臂梁与质量块并从其背部完成器件的释放。本申请能够将铁电单晶铌酸锂薄膜与硅片很好键合，并在此基础上采用标准的MEMS工艺制备传感器件，工艺可行性和重复率高，制得的器件具有宽频带及很高的输出电压。

本发明授权一种d₁₅模式铁电单晶薄膜压电振动传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种d15模式铁电单晶薄膜压电振动传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：分别清洗铌酸锂晶片和硅基底，采用等离子体增强化学气相沉积法在硅基底表面沉积二氧化硅层，并在二氧化硅层表面磁控溅射底电极；步骤二：将铌酸锂晶片与硅基底键合，再依次进行减薄、化学机械抛光和清洗，得到铌酸锂单晶薄膜；步骤三：采用磁控溅射及离子束刻蚀工艺制备对准标记，接着在显影图形区采用磁控溅射与剥离工艺制备表面电极；步骤四：采用离子束法刻蚀铌酸锂单晶薄膜使其图形化，随后采用反应离子刻蚀法刻蚀二氧化硅层实现其图形化；最后采用离子束法刻蚀底电极使其图形化；步骤五：在图形化的铌酸锂表面采用喷胶-光刻-显影-后烘-深硅刻蚀方法完成悬臂梁及质量块的制备，并从硅基背面采用喷胶-光刻-显影-后烘-深硅刻蚀方法实现器件的释放，制得所述d15模式铁电单晶薄膜压电振动传感器。

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