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龙图腾网恭喜湘潭大学申请的专利一种氧化铪基铁电薄膜基于氧空位影响的相场分析方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114297897B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111656161.2，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种氧化铪基铁电薄膜基于氧空位影响的相场分析方法是由蒋丽梅;王渊曜;邵宴萍;邓宇辉;杨宛亭;廖宁涛;林鑫;朱冰妍;姜杰;杨琼设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氧化铪基铁电薄膜基于氧空位影响的相场分析方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种氧化铪基铁电薄膜基于氧空位影响的相场分析方法，包括：考虑氧空位浓度对氧化铪基铁电薄膜的影响，确定总的能量方程；通过能量方程，建立基于氧空位影响的各物理场的本构方程；确定各个物理场的控制方程；通过有限元方法进行求解，推导得到基于氧空位影响的各个物理场控制方程的弱形式，根据所述方程的弱形式建立氧化铪基铁电薄膜基于氧空位影响的相场计算模型，以此模拟基于不同氧空位浓度下氧化铪基铁电薄膜多态共存的畴结构云图及其相转变规律。本申请通过计算模式的建立，能够为实验人员在实验过程中提供关于氧空位影响的理论指导，以此有效降低实验成本，并对实验过程中使用到的氧空位浓度有一个预设的范围调控值。

本发明授权一种氧化铪基铁电薄膜基于氧空位影响的相场分析方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化铪基铁电薄膜基于氧空位影响的相场分析方法，其特征在于，包括：基于氧空位浓度对氧化铪基铁电薄膜的影响，建立总的能量方程，所述总的能量方程包括氧空位浓度影响下的铁电薄膜内的体积自由能密度、铁电薄膜内的弹性能密度、铁电薄膜内的梯度能密度和铁电薄膜内的静电能密度；所述总的能量方程为：F＝∫VfdV，f＝fbulk+fgradient+felastic+felectric其中，F为铁电薄膜的总能量，f为铁电薄膜的总自由能密度，是铁电薄膜内的体积自由能密度fbulk、铁电薄膜内的弹性能密度felastic、铁电薄膜内的梯度能密度fgradient和铁电薄膜内的静电能密度felectric的和；根据所述总的能量方程进行推导，得到基于氧空位影响的各物理场的本构方程；根据所述本构方程，结合力学平衡方程、麦克斯韦方程、金兹堡-朗道方程和浓度扩散方程，得到氧化铪基铁电薄膜的各个物理场的控制方程；根据所述控制方程，在通过有限元方法进行求解时进行推导，得到基于氧空位影响的各个物理场控制方程的弱形式，具体包括力场控制方程的弱形式、电场控制方程的弱形式、极化场控制方程的弱形式和浓度场控制方程的弱形式；根据所述各方程的弱形式建立氧化铪基铁电薄膜基于氧空位影响的相场计算模型，以此模拟基于不同氧空位浓度下氧化铪基铁电薄膜多态共存的畴结构云图及其相转变规律。

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