恭喜济南大学原长洲获国家专利权
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龙图腾网恭喜济南大学申请的专利一种氮掺杂MoxC/Co/碳纳米管复合材料及其制备方法与应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114300668B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111646895.2,技术领域涉及:H01M4/38;该发明授权一种氮掺杂MoxC/Co/碳纳米管复合材料及其制备方法与应用是由原长洲;赵国强;刘洋;侯林瑞设计研发完成,并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮掺杂MoxC/Co/碳纳米管复合材料及其制备方法与应用在说明书摘要公布了:本发明公开一种氮掺杂MoxCCo碳纳米管复合材料及其制备方法与应用。所述复合材料包括氮掺杂的二维片状MoxC基体以及原位生长在该基体表面上氮掺杂碳的纳米管组成的三维结构。本发明的氮掺杂MoxCCo碳纳米管复合材料兼具一维碳纳米管和二维片状的形貌结构,不仅保持了二维MXene的催化特性,而且碳纳米管的引入提高了材料的导电性。另外,本发明的氮掺杂MoxCCo碳纳米管复合材料具有大的比表面积,其能够提供更多的多硫化物吸附位点,抑制多硫化物的扩散,从而抑制锂硫电池的“穿梭效应”,显著提高了锂硫电池的能量密度和循环寿命。
本发明授权一种氮掺杂MoxC/Co/碳纳米管复合材料及其制备方法与应用在权利要求书中公布了:1.一种氮掺杂MoxCCo碳纳米管复合材料,其特征在于,该复合材料包括氮掺杂的二维片状MoxC基体以及原位生长在该基体表面上氮掺杂的碳纳米管组成的三维结构,且所述MoxC基体为MoC或MoC和Mo2C的复合物,所述MoxC基体上原位生长有金属钴颗粒,所述氮掺杂的二维片状MoxC基体中氮与基体之间以N-Mo形式成键;所述氮掺杂的碳纳米管中氮元素以N-C形式成键;所述氮掺杂的碳纳米管成弯曲、相互缠绕的状态,且部分所述氮掺杂的碳纳米管从MoxC基体表面向外伸展。
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