恭喜株洲中车时代半导体有限公司陈勇民获国家专利权
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龙图腾网恭喜株洲中车时代半导体有限公司申请的专利功率半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114220845B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111539843.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权功率半导体器件是由陈勇民;徐焕新;陈芳林;操国宏;蒋谊;潘学军;孙永伟;邹平设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种功率半导体器件，包括晶圆，以及设置于所述晶圆表面的多个第一阴极梳条和门极；其中，所述晶圆表面划分为具有相同圆心的多个同心圆环区和多个同心扇形区，所述多个同心圆环区和所述多个同心扇形区交叠以限定出多个图形区，所述多个第一阴极梳条间隔设置于所述多个图形区内；设置于同一所述图形区内的各个所述第一阴极梳条与该图形区的径向对称轴平行，且沿其所在的所述圆环区的内环排布；各个所述图形区内所述第一阴极梳条的排布间距沿与所述门极的径向距离的增加的方向先减小后增大。图形区内的阴极梳条的间距随其与门极的径向距离变化进行变化设计，提升了阴极梳条动态开关均匀性，有利于提升大面积芯片的关断能力。
本发明授权功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括晶圆，以及设置于所述晶圆表面的多个第一阴极梳条和门极；其中，所述晶圆表面划分为具有相同圆心的多个同心圆环区和多个同心扇形区，所述多个同心圆环区和所述多个同心扇形区交叠以限定出多个图形区，所述多个第一阴极梳条间隔设置于所述多个图形区内；设置于同一所述图形区内的各个所述第一阴极梳条与该图形区的径向对称轴平行，且沿其所在的所述圆环区的内环排布；各个所述图形区内所述第一阴极梳条的排布间距沿与所述门极的径向距离的增加的方向先减小后增大。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株洲中车时代半导体有限公司，其通讯地址为：412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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