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龙图腾网恭喜株洲中车时代半导体有限公司申请的专利功率半导体器件的元胞结构及功率半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114220850B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111539836.5，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权功率半导体器件的元胞结构及功率半导体器件是由陈勇民;陈芳林;操国宏;蒋谊;徐焕新;潘学军;曾宏;邹平;孙永伟设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件的元胞结构及功率半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种功率半导体器件的元胞结构及功率半导体器件，所述元胞结构包括衬底，其中，所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；位于所述衬底内的第一导电类型第一基区；其中，所述第一基区于所述元胞结构中心位置设置有向靠近所述第二表面方向延伸的第一凸台；位于所述第一基区与所述第二表面之间的阳极区；其中，所述阳极区靠近所述第一基区的一侧于与所述第一凸台对应的位置处形成凹部。该凹部处的阳极区的结深远小于其它区域，既可降低该处逆阻阳极发射效率，又能在该处形成芯片关断时载流子快速抽取通道，从而降低芯片关断拖尾时间和反向恢复时间，降低关断损耗。

本发明授权功率半导体器件的元胞结构及功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件的元胞结构，其特征在于，包括：衬底，其中，所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；位于所述衬底内的第一导电类型第一基区；其中，所述第一基区于所述元胞结构中心位置设置有向靠近所述第二表面方向延伸的第一凸台；位于所述第一基区与所述第二表面之间的阳极区；其中，所述阳极区靠近所述第一基区的一侧于与所述第一凸台对应的位置处形成凹部，所述阳极区远离所述第一基区的一侧与所述第二表面相平齐；所述阳极区包括从所述第一基区向所述第二表面依次层叠设置的第二导电类型第一子阳极区和第二导电类型第二子阳极区；其中，所述第一子阳极区的离子掺杂浓度小于或等于所述第二子阳极区的离子掺杂浓度；所述第一子阳极区远离所述第一基区的一侧于与所述第一凸台对应的位置处形成向靠近所述第二表面方向延伸的第二凸台。

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