恭喜株洲中车时代半导体有限公司姚尧获国家专利权
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龙图腾网恭喜株洲中车时代半导体有限公司申请的专利一种栅极总线结构及沟槽栅芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114220852B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111536522.X，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种栅极总线结构及沟槽栅芯片是由姚尧;罗海辉;肖强;梁利晓;刘葳;管佳宁;覃荣震;何逸涛设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种栅极总线结构及沟槽栅芯片在说明书摘要公布了：本发明提供的栅极总线结构及沟槽栅芯片，所述栅极总线结构包括：形成于第一导电类型的漂移区上方的具有第二导电类型的阱区，阱区与元胞区延伸出的元胞区沟槽相交，且阱区内形成有多条与元胞区沟槽方向成设定角度的栅极总线沟槽，以缓解沟槽栅芯片的翘曲；形成于阱区上方的绝缘层；以及形成于绝缘层上方的栅极信号传导层。通过在阱区内引入了与元胞区沟槽成一定角度的多条栅极总线沟槽，可以有效缓解沟槽栅芯片在加工过程中带来的翘曲，且制备流程与原流程完全兼容，对原有工艺无影响，容易实现。
本发明授权一种栅极总线结构及沟槽栅芯片在权利要求书中公布了：1.一种栅极总线结构，其特征在于，元胞区上的发射极焊盘周围延伸出元胞区沟槽，所述栅极总线结构包括：形成于第一导电类型的漂移区上方的具有第二导电类型的阱区，所述阱区与元胞区上的发射极焊盘周围延伸出的元胞区沟槽相交，且所述阱区内形成有多条与所述元胞区沟槽方向成设定角度的栅极总线沟槽，以缓解沟槽栅芯片的翘曲；形成于所述阱区上方的绝缘层；以及形成于绝缘层上方的栅极信号传导层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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