恭喜株洲中车时代半导体有限公司姚尧获国家专利权
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龙图腾网恭喜株洲中车时代半导体有限公司申请的专利功率芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114220853B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111539430.7，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权功率芯片是由姚尧;罗海辉;肖强;梁利晓;刘葳;管佳宁;覃荣震设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率芯片，包括芯片本体，包括由多个元胞组成的至少一个有源区；与所述有源区对应设置的发射极焊盘；栅极焊盘，设置在所述芯片本体上，且与所述发射极焊盘位于同侧；环形的栅极总线，设置在所述有源区周围，且与所述发射极焊盘位于同侧；片上栅极电阻，分别与所述环形的栅极总线以及所述栅极焊盘连接；其中，所述环形的栅极总线的宽度与距离所述栅极焊盘的距离成反比。即：栅极总线离栅极焊盘越远，栅极总线的宽度越小。这样，改善了栅极信号在栅极总线上传输的一致性，从而提高了距离栅极焊盘远、近不同的元胞之间的开关一致性，进而改善了元胞均流，提高了功率芯片工作的鲁棒性与可靠性。
本发明授权功率芯片在权利要求书中公布了：1.一种功率芯片，其特征在于，包括：芯片本体，包括由多个元胞组成的至少一个有源区；与所述有源区对应设置的发射极焊盘；栅极焊盘，设置在所述芯片本体上，且与所述发射极焊盘位于同侧；环形的栅极总线，设置在所述有源区周围，且与所述发射极焊盘位于同侧；片上栅极电阻，分别与所述环形的栅极总线以及所述栅极焊盘连接；其中，所述环形的栅极总线的宽度与距离所述栅极焊盘的距离成反比。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株洲中车时代半导体有限公司，其通讯地址为：412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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