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龙图腾网恭喜华东光电集成器件研究所申请的专利一种微光机电系统制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114132891B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111479847.9，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种微光机电系统制备方法是由王鹏;王帆;张帅;包星晨;陈博设计研发完成，并于2021-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微光机电系统制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种微光机电的制备方法，包括以下步骤：在第一SOI硅片的顶层硅上形成图形化的高反膜和顶层硅电极以及检测电极；图形化的第二SOI硅片顶层硅与高反射薄膜共同形成可动滤光结构，图形化的金属支撑柱下方与顶层硅连接；将S3制备好的可动滤光结构层晶圆对准键合于S2制备好的固定滤光结构层晶圆上方，可动滤光结构中的金属支撑柱与固定滤光结构中的金属支撑柱键合形成支撑柱；取两面抛光后的标准晶圆作为盖帽层，在盖帽正面制备有金属Pad点与垂直导电引线连接；本发明的有益效果是：该制备方法兼容光学与MEMS制备工艺，可批量制造，采用该方法制备得到的微光机电系统具有集成度高、光学占空比大、静电驱动力大、易与探测器集成等优点。

本发明授权一种微光机电系统制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微光机电的制备方法，其特征在于包括以下步骤：S1、取第一SOI硅片，包括顶层硅（17b）、埋氧层（17）和衬底硅（17a），作为固定滤光结构层；S2、在第一SOI硅片的顶层硅（17b）之上经光刻、蒸发硅和二氧化硅或其他材料形成布拉格高反射膜，经剥离工艺或刻蚀工艺形成图形化的布拉格高反射膜（15）；利用光刻、溅射、剥离制备图形化的金属支撑柱（14）以及键合金属层（16）；利用光刻、刻蚀工艺刻蚀顶层硅（17b）至埋氧层（17），形成图形化的高反膜（15）和图形化的顶层硅电极（13）以及检测电极（12），顶层硅电极（13）与高反膜（15）共同组合形成相互独立的驱动电极（19），形成驱动与光通道一体结构；S3、取第二SOI硅片，作为可动滤光结构层，包括衬底（25）、埋氧层为（24）以及顶层硅（22），经蒸发成膜、光刻、刻蚀工艺在顶层硅（22）上形成高反射率薄膜（21），高反射膜材料与固定滤光结构的高反射膜材料及制备工艺一致，图形化后的第二SOI硅片顶层硅（22）与位于第二SOI硅片顶层硅（22）之上的高反射薄膜（21）共同形成可动滤光结构（26），金属支撑柱（23）的制作工艺与固定滤光结构中图形化的金属支撑柱（14）相同，图形化的金属支撑柱（23）下方与顶层硅（22）连接；S4、将S3制备好的可动滤光结构层晶圆对准键合于S2制备好的固定滤光结构层晶圆上方，其中可动滤光结构中的金属支撑柱（23）与固定滤光结构中的金属支撑柱（14）相对应键合于一起，形成支撑柱，然后干法刻蚀去除第二SOI晶圆衬底（25）和埋氧层（24）；S5、取两面抛光后的标准晶圆作为盖帽层（30），经光刻、刻蚀工艺在盖帽层背面制作空腔（34），在盖帽层周边制作电极孔，并在导极孔中填充电绝缘层（32），电绝缘层中填充金属材料形成垂直导电引线（31），利用光刻、刻蚀工艺在盖帽层正面和空腔底面制作增加透射的光学复合薄膜（36），光学复合薄膜（36）为硅和二氧化硅、或其他适合的增透材料用蒸发工艺制作的；利用成膜、光刻和刻蚀工艺在盖帽（30）背面制作导电金属块（35）与垂直导电引线（31）连接，在盖帽（30）正面制备有金属Pad点（33）与垂直导电引线（31）连接；S6、将S5制备好的盖帽晶圆对准键合于S4制备好的固定滤光结构晶圆上，使导电金属块（35）键合在对应的键合金属层（16）上；S7、将驱动电路芯片（40）的电极（41）与S6制备好的晶圆表面金属Pad点（33）进行Dietowafer对准键合，完成异构集成的微光机电系统制备。

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