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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种辐射加固的LDMOS器件结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300539B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111469848.5，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种辐射加固的LDMOS器件结构及制备方法是由谢儒彬设计研发完成，并于2021-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种辐射加固的LDMOS器件结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种辐射加固的LDMOS器件结构及制备方法，属于集成电路领域，包括P型硅衬底、N型埋层、P‑外延层、P‑体区、N‑漂移区、Psink重掺杂区域、N+重掺杂区域、P+重掺杂区域、STI区域、多晶栅区域。利用多晶栅区域截止漏极与源极之间的漏电通道，提升器件的抗总剂量辐射性能；结构中N型埋层位于P型硅衬底和P‑外延层之间，使得器件形成电位隔离，实现器件的高侧应用；在P‑体区位置增加Psink重掺杂区域，同时提高重掺杂的注入深度，减小非平衡载流子流过P‑体区的路径长度和电阻率，提升器件的抗单粒子辐射能力。

本发明授权一种辐射加固的LDMOS器件结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种辐射加固的LDMOS器件结构，其特征在于，包括P型硅衬底（1）、N型埋层（2）、P-外延层（3）、P-体区（4）、N-漂移区（5）、Psink重掺杂区域（6）、N+重掺杂区域（7）、P+重掺杂区域（8）、STI区域（9）、多晶栅区域（10）；N型埋层（2）位于P型硅衬底（1）的上方，P-外延层（3）位于N型埋层（2）的上方；P-体区（4）、N-漂移区（5）、Psink重掺杂区域（6）、N+重掺杂区域（7）、P+重掺杂区域（8）、STI区域（9）位于P-外延层（3）中；多晶栅区域（10）位于P-外延层（3）的外表面；P-体区（4）和N-漂移区（5）中均有N+重掺杂区域（7），P-体区（4）中的N+重掺杂区域（7）为源极，N-漂移区（5）中的N+重掺杂区域（7）为漏极；P+重掺杂区域（8）位于P-体区（4）中，作为体极；多晶栅区域（10）作为栅极，为环形结构，漏极位于环形结构的中间区域，源极位于环形结构的外围，P+重掺杂区域（8）与N+重掺杂区域（7）相接触，形成源体短接的结构；N-漂移区（5）位于P-外延层（3）的中间区域，P-体区（4）位于N-漂移区（5）的外围，Psink重掺杂区域（6）位于P-体区（4）的下方；多晶栅区域（10）内环的直径Lspace为2~10μm；辐射加固的LDMOS器件结构的栅极纵向宽度Wdevice为20~100μm；P-体区（4）与多晶栅区域（10）交叠区域的宽度Ldevice为0.2~0.5μm；多晶栅区域（10）的横向宽度Lgate为0.6~1.25μm；N-漂移区（5）与多晶栅区域（10）交叠区域的宽度Ldrift为0.25~0.6μm；N型埋层（2）浓度为1E16~1E17cm-3；P-外延层（3）的厚度为4~6μm；P-外延层（3）的浓度为1E14~1E15cm-3；N-漂移区（5）的浓度为1E17~3E17cm-3；Psink重掺杂区（6）的掺杂浓度大于P-体区（4）的掺杂浓度；P-体区（4）的浓度为5E17~1E18cm-3，Psink重掺杂区（6）的浓度为1E18~5E18cm-3。

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