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龙图腾网恭喜扬州江新电子有限公司申请的专利一种用于LDMOS输出端的ESD保护结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121942B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111439779.3，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种用于LDMOS输出端的ESD保护结构是由蔡小五;杜寰;周祥兵设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于LDMOS输出端的ESD保护结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于LDMOS输出端的ESD保护结构，N型深阱上排布有第一N阱、第一P阱和第二N阱；第一N阱内包括第一N+注入区和第一P+注入区；第二N阱内包括第二P+注入区和第二N+注入区；第一P阱内包括多个N+注入区和多个P+注入区间隔排列；第一N+注入区和第一P+注入区连接至电源端；第二P+注入区和第二N+注入区连接至电源端；第一P阱内的多个N+注入区和多个P+注入区相互并联作为数据输出端；数据输出端与电阻R的一端相连接，电阻R的另一端与栅电极相连接。本发明通过简单的外部辅助触发电路连接SCR器件，当ESD事件发生时，外部电路结构开启，外部电路的导通电流触发SCR，从而帮助SCR器件开启，既不需要改变SCR器件内部结构，又降低了SCR触发电压。

本发明授权一种用于LDMOS输出端的ESD保护结构在权利要求书中公布了：1.一种用于LDMOS输出端的ESD保护结构，依次包括Si层、埋氧化层、P型衬底和所述P型衬底上的N型深阱，其特征在于，所述N型深阱上依次排布有第一N阱、第一P阱和第二N阱；所述第一N阱内包括第一N+注入区和第一P+注入区；所述第二N阱内包括第二P+注入区和第二N+注入区；所述第一P阱内包括多个N+注入区和多个P+注入区间隔排列；所述第一N+注入区和第一P+注入区连接至电源端；所述第二P+注入区和第二N+注入区连接至电源端；所述第一P阱内的多个N+注入区和多个P+注入区相互并联作为数据输出端；所述数据输出端与电阻R的一端相连接，所述电阻R的另一端与栅电极相连接；所述数据输出端到电源端之间形成二极管结构，所述二极管结构包括第一P阱内的P+注入区、第一P阱、第一N阱和第一N+注入区；所述二极管结构包括第一P阱内的P+注入区、第一P阱、第二N阱和第二N+注入区。

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