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龙图腾网恭喜绍兴诺芯半导体科技有限公司申请的专利半导体器件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005824B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111433609.4，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权半导体器件结构及其制备方法是由徐吉程;潘群华设计研发完成，并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体器件结构及其制备方法。该垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层；栅极结构；第二导电类型的阱区；第一导电类型的源极区；第一肖特基接触层，位于栅极结构远离第二导电类型的阱区的一侧，且位于第一导电类型的外延层远离第一导电类型的衬底的表面或位于第一导电类型的外延层内；源极金属层以及漏极金属层。该半导体器件结构具有优异的效率和稳定性，同时，原料成本低，制备工艺简便。

本发明授权半导体器件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：所述半导体器件结构包括至少一个单原胞组成的单胞阵列，所述单原胞包括第一导电类型的衬底、第一导电类型的外延层、栅极结构、第二导电类型的阱区、第一导电类型的源极区、第一肖特基接触层、第二肖特基接触层、源极金属层以及漏极金属层；其中，所述栅极结构的个数为两个，且在所述单原胞的中轴线两侧对称分布；所述第一导电类型的源极区位于所述栅极结构的外侧，所述第一肖特基接触层位于两个所述栅极结构之间；所述第一导电类型的外延层，位于所述第一导电类型的衬底的表面；所述栅极结构，位于所述第一导电类型的外延层远离所述第一导电类型的衬底的表面；所述第二导电类型的阱区，位于所述第一导电类型的外延层内，且自所述栅极结构的一侧延伸至所述栅极结构的下方；所述第二导电类型不同于所述第一导电类型；所述第一导电类型的源极区，位于所述第二导电类型的阱区内；所述第一肖特基接触层，位于所述栅极结构远离所述第二导电类型的阱区的一侧，且位于所述第一导电类型的外延层远离所述第一导电类型的衬底的表面或位于所述第一导电类型的外延层内；所述第二肖特基接触层，所述第二肖特基接触层位于所述栅极结构远离所述第二导电类型的阱区的一侧，且位于所述第一导电类型的外延层内；所述源极金属层，与所述第一导电类型的源极区、所述第二导电类型的阱区及所述第一肖特基接触层相接触；以及所述漏极金属层，覆设于所述第一导电类型的衬底远离所述第一导电类型的外延层的表面。

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