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龙图腾网恭喜上海三菲半导体有限公司申请的专利用于低噪放大器低增益模式的偏置电流反馈环路及低噪放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113949349B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111390300.1，技术领域涉及：H03F1/02；该发明授权用于低噪放大器低增益模式的偏置电流反馈环路及低噪放大器是由杨军;周思宁;石峰;张庚兆设计研发完成，并于2021-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于低噪放大器低增益模式的偏置电流反馈环路及低噪放大器在说明书摘要公布了：本发明公开一种用于低噪放大器低增益模式的偏置电流反馈环路，低噪放大器包括cascode晶体管和主晶体管，包括运算放大器，输出端与cascode晶体管的栅极电气连接；电阻，一端与主晶体管的栅极电气连接；第一晶体管，栅极与电阻的另一端电气连接，源极接地；第二晶体管，栅极与cascode晶体管的栅极电气连接，其源极与第一晶体管的漏极电气连接；第一电流‑电压转换模块，其输入端与第二晶体管的漏极电气连接，其输出端与运算放大器的同相输入端电气连接；第二电流‑电压转换模块；第一参考电流源。它在低增益模式下能减少电流消耗，输入参考线性度高，不易出现输入失配的问题。还公开低噪放大器。

本发明授权用于低噪放大器低增益模式的偏置电流反馈环路及低噪放大器在权利要求书中公布了：1.一种用于低噪放大器低增益模式的偏置电流反馈环路，该低噪放大器采用cascode结构，该低噪放大器包括共栅晶体管和主晶体管，主晶体管的栅极与第一电感的一端电气连接，射频输入信号从第一电感的另一端输入，主晶体管的源极通过第二电感接地，共栅晶体管的源极与主晶体管的漏极电气连接，共栅晶体管的漏极通过射频扼流电路与电源正极电气连接，其特征在于，该偏置电流反馈环路包括：运算放大器，其输出端与共栅晶体管的栅极电气连接；电阻，其一端与主晶体管的栅极电气连接；第一晶体管，其栅极与电阻的另一端电气连接，其源极接地，偏置电压从其栅极输入；第二晶体管，其栅极与共栅晶体管的栅极电气连接，其源极与第一晶体管的漏极电气连接；第一电流-电压转换模块，其输入端与第二晶体管的漏极电气连接，其输出端与运算放大器的同相输入端电气连接；第二电流-电压转换模块，其输出端与运算放大器的反相输入端电气连接；第一参考电流源，其输出端与第二电流-电压转换模块的输入端电气连接；第一晶体管、第二晶体管依次对应镜像主晶体管、共栅晶体管直流偏置电流的比例为1：N，N为正数；所述第二晶体管的栅极与共栅晶体管的栅极通过第一开关管电气连接；该第一开关管的源极与共栅晶体管的栅极电气连接，其漏极与第二晶体管的栅极电气连接，其栅极输入第一控制信号；还包括：第二开关管，其源极与电源正极电气连接，其漏极与共栅晶体管的栅极电气连接，其栅极输入第一控制信号。

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