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龙图腾网恭喜杰华特微电子股份有限公司申请的专利半导体器件的子电路模型的建模方法及计算系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114707446B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111330977.6，技术领域涉及：G06F30/33；该发明授权半导体器件的子电路模型的建模方法及计算系统是由蒋盛烽设计研发完成，并于2021-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的子电路模型的建模方法及计算系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件的子电路模型的建模方法及计算系统，该建模方法包括：建立黑盒模型，黑盒模型包括多个接口，且多个接口中的任意相邻两个接口之间设置有二极管；将黑盒模型连接在标准BSIM4模型上，生成子电路模型；以及采用子电路模型表征半导体器件的击穿效应和或穿通效应。本发明所构建的子电路模型不仅具有BSIM4模型的收敛性、兼容性和较快的仿真速度，同时还包含有能够表征器件击穿效应和穿通效应的黑盒模型，能够提高半导体器件的建模速度和建模准确性。

本发明授权半导体器件的子电路模型的建模方法及计算系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的子电路模型的建模方法，其中，包括：建立黑盒模型，所述黑盒模型包括多个接口，且所述多个接口中的任意相邻两个接口之间设置有二极管；将所述黑盒模型连接在标准模型上，生成子电路模型，所述标准模型为标准BSIM4模型；以及采用所述子电路模型表征半导体器件的击穿效应和或穿通效应，包括：根据所要表征的半导体器件的类型对建立的所述黑盒模型的多个接口进行定义、以及对所述黑盒模型中的二极管进行定义；在所述黑盒模型被定义之后的接口上施加相应的测试电压，利用所述黑盒模型中多个接口之间设置的二极管对所述半导体器件中无法采用所述标准模型表征的击穿效应和或穿通效应进行表征，其中，所述半导体器件中无法采用所述标准模型表征的击穿效应包括：所述半导体器件的深N阱隔离端到体端的击穿效应和所述半导体器件的深N阱隔离端到P型衬底端的击穿效应，或者所述半导体器件的漏端到P型衬底端的击穿效应；所述半导体器件中无法采用所述标准模型表征的穿通效应包括：所述半导体器件的体端到P型衬底端的穿通效应。

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