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龙图腾网恭喜厦门云天半导体科技有限公司申请的专利滤波器的晶圆封装结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114094977B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111289387.3，技术领域涉及：H03H9/10；该发明授权滤波器的晶圆封装结构及方法是由陈作桓;于大全;阮文彪;张名川设计研发完成，并于2021-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本滤波器的晶圆封装结构及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种滤波器的晶圆封装结构及方法，该晶圆封装结构包括衬底晶圆和玻璃晶圆，衬底晶圆上设有滤波器部件和第一键合物，玻璃晶圆中采用激光诱导玻璃变性及湿法刻蚀形成TGV孔，在玻璃晶圆的第一表面及TGV孔内电镀形成有第一金属布线层，第一金属布线层在TGV孔内为不完全填充，可有效缩短电镀的时间，提升封装效率达80％以上，并改善第一金属布线层厚度均匀性，提升键合良率。在第一金属布线层上制作第二键合物，并对玻璃晶圆的第二表面进行减薄，使TGV孔底部的第一金属布线层裸露出来，使其与外部信号互连。第一键合物和第二键合物通过固‑液互扩散晶圆级键合，键合后不仅形成良好的密封腔，阻挡外界水汽、腐蚀液等的侵蚀，还能实现超薄封装。

本发明授权滤波器的晶圆封装结构及方法在权利要求书中公布了：1.一种滤波器的晶圆封装方法，其特征在于，包括以下步骤：1提供衬底晶圆，所述衬底晶圆的第一表面上设有滤波器部件和第一键合物，所述第一键合物设置在所述滤波器部件的周围；2提供玻璃晶圆，在所述玻璃晶圆的第一表面上制作TGV孔，在所述玻璃晶圆的第一表面上电镀形成第一金属布线层，所述第一金属布线层还覆盖在所述TGV孔的侧壁和底部且不完全填充在所述TGV孔内；3在所述玻璃晶圆的第一表面的第一金属布线层上制作第二键合物，将所述玻璃晶圆或所述衬底晶圆倒置后，采用固-液互扩散低温晶圆级键合的方式将所述第一键合物与所述第二键合物键合并生成金属间化合物；4将所述玻璃晶圆的第二表面减薄至裸露出所述TGV孔底部的所述第一金属布线层；5在所述玻璃晶圆的第二表面上制作焊接部，所述焊接部与裸露出的第一金属布线层连接。

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