恭喜上海华力集成电路制造有限公司骆静宜获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种降低接触孔与多晶硅短接风险的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114038795B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111226272.X，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种降低接触孔与多晶硅短接风险的方法是由骆静宜;景旭斌设计研发完成，并于2021-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种降低接触孔与多晶硅短接风险的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种降低接触孔与多晶硅短接风险的方法，提供接触孔的标准CD，按照大于该标准CD的尺寸刻蚀，形成接触孔；在接触孔内形成氧化层；在接触孔内的氧化层上形成SiOCN层；刻蚀去除接触孔底部的所述氧化层和SiOCN层。本发明在接触孔内淀积氧化物与SiOCN用于减小接触孔的CD，SiOCN同时作为侧壁保护层，氧化层保持电容，而SiOCN与SIN相比k值较小，电容增加较少。刻蚀接触孔底部SiOCN与氧化层时，侧壁SiOCN耐刻蚀，用以保护侧壁，同时减小接触孔与多晶硅短接的风险。
本发明授权一种降低接触孔与多晶硅短接风险的方法在权利要求书中公布了：1.一种降低接触孔与多晶硅短接风险的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供接触孔的标准CD，按照大于该标准CD的尺寸刻蚀，形成接触孔；步骤二、在所述接触孔内形成氧化层；步骤三、在所述接触孔内的所述氧化层上形成SiOCN层；步骤四、刻蚀去除所述接触孔底部的所述氧化层和所述SiOCN层，同时所述接触孔外两侧的所述氧化层和所述SiOCN层也被去除，保留接触孔侧壁的氧化层和SiOCN层，形成目标接触孔；所述目标接触孔的CD为所述标准CD。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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