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龙图腾网恭喜中南大学申请的专利一种熔盐体系中离子迁移数获取方法、系统、终端及可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921093B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111169540.9，技术领域涉及：G16C20/40；该发明授权一种熔盐体系中离子迁移数获取方法、系统、终端及可读存储介质是由李劼;李家琦;张红亮;彭晨;王景坤设计研发完成，并于2021-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种熔盐体系中离子迁移数获取方法、系统、终端及可读存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种熔盐体系中离子迁移数获取方法、系统、终端及可读存储介质，所述方法包括：针对待评估的熔盐体系构建其周期性结构模型，再进行分子动力学模拟得到稳定状态下离子运动轨迹和稳定离子结构；再计算出各个离子的位移矩阵和Mulliken电荷分布；基于离子电导率计算理论以及引入各离子对的相关性系数，并利用各个离子的位移矩阵和Mulliken电荷分布得到所述熔盐体系中的离子迁移数；其中，利用相关性系数修正各个离子的离子电导率。本发明该方法引入离子对的相关性系数，得到的离子迁移数更为准确，且利用分子动力学模拟来计算熔盐体系中离子迁移数，无需设计特定的熔盐测量仪器以及高温电化学实验，可以减少实验成本。

本发明授权一种熔盐体系中离子迁移数获取方法、系统、终端及可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种熔盐体系中离子迁移数获取方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1：针对待评估的熔盐体系构建其周期性结构模型，并基于所述周期性结构模型进行分子动力学模拟得到稳定状态下离子运动轨迹和稳定离子结构；步骤2：基于所述离子运动轨迹和稳定离子结构获取各个离子的位移矩阵和Mulliken电荷分布；步骤3：引入各离子对的相关性系数，并利用各个离子的位移矩阵、Mulliken电荷分布以及所述相关性系数计算得到所述熔盐体系中的离子迁移数；其中，利用所述相关性系数修正各个离子的离子电导率；各离子对的相关性系数分为同类离子对的相关性系数以及异类离子对的相关性系数；引入了各离子对的相关性系数的离子迁移数的计算公式如下： 其中，为所述熔盐体系中离子i的离子迁移数，为同种离子对i-i的相关性系数，即表示同种离子对i-i中，离子i受到来自同类离子i的迁移相关性影响；为异种离子对i-j的相关性系数，即表示异种离子对i-j中，离子i受到的来自异类离子j的迁移相关性影响，且始终满足Zi、Zj分别是离子i、离子j的Mulliken电荷，Δit、Δjt分别表示离子i、离子j在时刻t的位移。

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