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龙图腾网恭喜西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种PN结基极耦合的氮化镓肖特基二极管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113964181B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111046028.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种PN结基极耦合的氮化镓肖特基二极管及制备方法是由陈家博;朱肖肖;刘志宏;王泽宇;周瑾;赵胜雷;周弘;叶刚;张进成;郝跃设计研发完成，并于2021-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种PN结基极耦合的氮化镓肖特基二极管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种PN结基极耦合的氮化镓肖特基二极管及制备方法，肖特基二极管包括衬底层、外延层、欧姆电极、阳极和阴极，其中，外延层位于衬底层上，外延层包括缓冲层、接触层、漂移层和再生长势垒层，缓冲层、接触层、漂移层依次层叠，再生长势垒层设置在漂移层的侧面和部分上表面，再生长势垒层与漂移层之间形成PN结；欧姆电极位于再生长势垒层上；阳极位于漂移层和再生长势垒层上，且覆盖欧姆电极；阴极位于接触层上。该肖特基二极管中再生长势垒层与漂移层之间形成PN结，可以耗尽N型材料中的侧壁电子，起到调制电场的作用，降低了肖特基金属淀积边缘电场强度，提高击穿电压和反向击穿电压，且对正向特性影响较小，具有较高正向电流。

本发明授权一种PN结基极耦合的氮化镓肖特基二极管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种PN结基极耦合的氮化镓肖特基二极管，其特征在于，包括衬底层10、外延层20、欧姆电极30、阳极40和阴极50，其中，所述外延层20位于所述衬底层10上，所述外延层20包括缓冲层201、接触层202、漂移层203和再生长势垒层204，所述缓冲层201、所述接触层202、所述漂移层203依次层叠，所述再生长势垒层204设置在所述漂移层203的侧面和部分上表面，所述再生长势垒层204与所述漂移层203之间形成PN结；所述再生长势垒层204的材料包括轻掺杂P型三族氮化物中的一种或多种，掺杂杂质为镁、锌中的一种或多种，掺杂浓度为1×1017-5×1019cm-3，厚度为50-500nm；所述欧姆电极30位于所述再生长势垒层204上；所述欧姆电极30的材料包括Ni、Ti、ITO中的一种或多种；所述阳极40位于所述漂移层203和所述再生长势垒层204上，且覆盖所述欧姆电极30和所述漂移层203；所述阴极50位于所述接触层202上；所述阴极50与所述再生长势垒层204之间相距有一定距离。

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