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龙图腾网恭喜斯达半导体股份有限公司申请的专利一种双工作模式碳化硅功率器件结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113471276B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110806427.0，技术领域涉及：H10D62/83；该发明授权一种双工作模式碳化硅功率器件结构及其制作方法是由汤艺;沈华设计研发完成，并于2021-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双工作模式碳化硅功率器件结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双工作模式碳化硅功率器件结构及其制作方法，该功率器件结构包括Bipolar部分及MOSFET部分，其具体包括N型衬底及设置在该N型衬底底部的集电极金属层，N型衬底的顶部设置有P‑base区，P‑base区上通过沟槽设置有若干栅极氧化层及竖直布置在对应栅极氧化层内的沟槽栅极；P‑base区内设置有若干N+注入区和P+注入区，P‑base区的顶部两侧对应于N+注入区和P+注入区的位置上设置有可浮动基级和发射极，且所述可浮动基级和发射极之间通过ILD外绝缘层进行隔离，该功率器件结构的制作包括生长外延层、生长场氧化层等步骤，工艺流程和普通碳化硅MOSFET的流程兼容，不需要增加新步骤。

本发明授权一种双工作模式碳化硅功率器件结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种双工作模式碳化硅功率器件结构，包括器件结构本体，其特征在于：所述器件结构本体包括Bipolar部分及MOSFET部分，且所述Bipolar部分及MOSFET部分均包括N型衬底及设置在该N型衬底底部的集电极金属层，所述N型衬底的顶部设置有P-base区，该P-base区上通过延伸至N型衬底内的沟槽设置有若干栅极氧化层及竖直布置在对应栅极氧化层内的沟槽栅极；所述P-base区的顶部设置有若干延伸至P-base区内的N+注入区和P+注入区，P-base区的顶部两侧对应于N+注入区和P+注入区的位置上设置有可浮动基级和发射极，且所述可浮动基级和发射极之间通过ILD外绝缘层进行隔离，所述栅极氧化层及沟槽栅极的顶部通过ILD内绝缘层与对应位置上的可浮动基级或发射极进行隔离。

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