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龙图腾网恭喜三菱电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921605B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110756311.0，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体装置是由西康一设计研发完成，并于2021-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：提供沟槽栅极的栅极绝缘膜的可靠性提高的半导体装置。半导体装置包含半导体基板、栅极电极和多个沟槽栅极。半导体基板包含有源区域和配线区域。沟槽栅极从有源区域延伸至配线区域。该沟槽栅极在有源区域形成晶体管的一部分。栅极电极设置于配线区域，与沟槽栅极电连接。沟槽栅极的端部位于配线区域。栅极电极以将在沟槽栅极的端部形成的栅极接触部覆盖的方式设置。栅极电极经由栅极接触部而与沟槽栅极电连接。多个沟槽栅极仅沿一个方向延伸。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其具有：半导体基板，其在俯视观察时包含设置有多个晶体管的有源区域和将所述有源区域包围的配线区域；多个沟槽栅极，它们从所述半导体基板的表面的所述有源区域延伸至所述配线区域，在所述有源区域形成所述多个晶体管的一部分；以及栅极电极，其设置于所述配线区域，与所述多个沟槽栅极电连接，所述多个沟槽栅极各自的端部位于所述配线区域，所述栅极电极以将在所述多个沟槽栅极各自的所述端部形成的栅极接触部覆盖的方式设置，经由所述栅极接触部而与所述多个沟槽栅极各自电连接，所述多个沟槽栅极仅沿所述半导体基板的所述表面的一个方向延伸，所述半导体装置还具有：至少1个哑沟槽栅极，其设置于所述半导体基板的所述表面的所述有源区域；以及发射极电极，其设置于所述有源区域，所述半导体基板在所述有源区域内包含：第1有源区域，其在所述半导体基板的所述表面沿所述多个沟槽栅极的延伸方向即所述一个方向而选择性地配置第1导电型的发射极层和第2导电型的基极层；以及第2有源区域，其在所述半导体基板的所述表面配置所述基极层而不配置所述发射极层，从所述第1有源区域的所述半导体基板的所述表面起沿深度方向设置有所述发射极层和所述基极层，从所述第2有源区域的所述半导体基板的所述表面起沿深度方向设置有所述基极层而不设置所述发射极层，所述多个沟槽栅极设置于所述第1有源区域，并且将所述发射极层和所述基极层贯通，所述多个沟槽栅极的侧壁与所述发射极层、所述基极层接触，所述至少1个哑沟槽栅极设置于所述第2有源区域，并且将所述基极层贯通，所述至少1个哑沟槽栅极的侧壁与所述基极层接触而不与所述发射极层接触，所述发射极电极以将在所述至少1个哑沟槽栅极之上、所述发射极层之上以及配置于所述哑沟槽栅极的两侧的所述基极层之上形成的发射极接触部覆盖的方式设置，经由所述发射极接触部而与所述至少1个哑沟槽栅极、所述发射极层电连接。

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