恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司于海龙获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513179B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110701080.3，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权半导体结构及其形成方法是由于海龙设计研发完成，并于2021-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一介质层和若干栅极结构，所述第一介质层顶面高于所述栅极结构顶面，所述第一介质层内具有第一开口，所述第一开口暴露出栅极结构顶面；采用选择性成膜工艺，在第一开口暴露出的栅极结构顶面形成导电保护膜。所述形成方法能够改善所形成的半导体结构的性能和可靠性。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；位于衬底上的第一介质层和若干栅极结构，所述栅极结构两侧的衬底内具有源漏结构，所述第一介质层顶面高于所述栅极结构顶面，所述第一介质层内具有第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出栅极结构顶面，所述第二开口暴露出源漏结构顶面；导电保护膜，所述导电保护膜位于第一开口暴露出的栅极结构顶面；位于第一开口内的第一导电结构，所述第一导电结构还位于导电保护膜顶面，所述第一导电结构齐平于第一介质层顶面；位于第二开口内的第二导电结构，所述第二导电结构还位于第二开口暴露出的源漏结构顶面，所述第二导电结构齐平于第一介质层顶面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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