恭喜日月光半导体制造股份有限公司黄文宏获国家专利权
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龙图腾网恭喜日月光半导体制造股份有限公司申请的专利辐射结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513640B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110691657.7，技术领域涉及：H01Q1/22；该发明授权辐射结构是由黄文宏设计研发完成，并于2021-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本辐射结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种辐射结构。辐射结构可以包括：第一导电层；第二导电层；阻挡层，设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间。其中，所述阻挡层的厚度在0.3微米至3微米的范围内。
本发明授权辐射结构在权利要求书中公布了：1.一种辐射结构，其特征在于，包括：第一导电层；第二导电层；阻挡层，设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间；其中，所述阻挡层的厚度在0.3微米至3微米的范围内，其中，所述第一导电层的材料为铜，所述第二导电层的材料为金，所述阻挡层的材料为镍，所述辐射结构构造为封装结构的部分，并且其中，所述第二导电层为所述封装结构的最外层金属层，所述辐射结构构造为天线模组中的天线层，所述辐射结构的操作频率在3.5GHz至5GHz的范围内。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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