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龙图腾网恭喜华邦电子股份有限公司申请的专利半导体结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497879B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110677055.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制造方法是由吴柏翰;蔡百钧;欧阳自明;李书铭设计研发完成，并于2021-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构的制造方法，制造方法包括形成一材料迭层于衬底上并覆盖其阵列区及周边区；形成第一图案化遮罩层于材料迭层上；将第一图案化遮罩层的图案转移至材料迭层，而在阵列区及周边区中形成第一阵列图案及第一周边图案；提供第二图案化遮罩层于第一阵列图案及第一周边图案的上方，且第二和第一图案化遮罩层的图案错开；将第二图案化遮罩层的图案向下转移，而于阵列区与周边区中形成第一、第二牺牲图案；同时将第一阵列图案、第一牺牲图案、第一周边图案及第二牺牲图案进行图案转移，以分别在阵列区和周边区中形成第二阵列图案与第二周边图案。本发明所提出的半导体结构的制造方法可简化工艺步骤并降低成本。

本发明授权半导体结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：在一衬底的上方形成第一材料迭层，所述衬底包括一阵列区及一周边区，其中所述第一材料迭层覆盖所述阵列区与所述周边区，且所述第一材料迭层包含第一图案转移层及第二图案转移层；形成一第一图案化遮罩层于所述阵列区与所述周边区的所述第一材料迭层上，所述第一图案化遮罩层是暴露出所述第一材料迭层的部分顶面；以所述第一图案化遮罩层为遮罩去除一部分的所述第一材料迭层，以将所述第一图案化遮罩层的图案转移至所述第二图案转移层，而在所述阵列区及所述周边区中分别形成一第一阵列图案及一第一周边图案；在所述第一阵列图案及所述第一周边图案的上方提供一第二图案化遮罩层对应于所述阵列区与所述周边区，其中所述第二图案化遮罩层的图案是与所述第一图案化遮罩层的图案错开；以所述第二图案化遮罩层为遮罩，以将所述第二图案化遮罩层的图案向下转移，而于所述阵列区与所述周边区中形成一第一牺牲图案及一第二牺牲图案；以及将所述第一阵列图案与所述第一牺牲图案进行图案转移，以在所述阵列区形成一第二阵列图案，同时将所述第一周边图案与所述第二牺牲图案进行图案转移，以在所述周边区中形成一第二周边图案。

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