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龙图腾网恭喜淮安澳洋顺昌光电技术有限公司申请的专利一种发光二极管及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498079B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110680299.X，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种发光二极管及半导体器件是由宋长伟;黄理承;郭园;展望;程志青;芦玲设计研发完成，并于2021-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种发光二极管及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种发光二极管及半导体器件，发光二极管包括：衬底、在衬底上依次外延生长的缓冲层、N型氮化镓层、发光区缓冲层、第一发光层、第二发光层、电子阻挡层以及P型氮化镓层，其中，第二发光层包括一个或多个发光阱‑势垒对子层；发光区缓冲层的厚度为发光阱‑势垒对子层厚度的预设第一倍数；第一发光层的厚度为发光阱‑势垒对子层厚度的预设第二倍数，所述第二倍数小于第一倍数；电子阻挡层的厚度为发光阱‑势垒对子层厚度的预设第三倍数，所述第三倍数小于第一倍数。可以提高发光二极管的内部发光效率。

本发明授权一种发光二极管及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，包括：衬底、在衬底上依次外延生长的缓冲层、N型氮化镓层、发光区缓冲层、第一发光层、第二发光层、电子阻挡层以及P型氮化镓层，其中，第二发光层包括一个或多个发光阱-势垒对子层；发光区缓冲层的厚度为发光阱-势垒对子层厚度的预设第一倍数；所述第一倍数为20～40；第一发光层的厚度为发光阱-势垒对子层厚度的预设第二倍数，所述第二倍数小于第一倍数；电子阻挡层的厚度为发光阱-势垒对子层厚度的预设第三倍数，所述第三倍数小于第一倍数；所述发光区缓冲层、所述第一发光层、所述第二发光层均为含Al、In的n型掺杂氮化物半导体；所述发光区缓冲层中n型杂质原子平均浓度＞第二发光层中n型杂质原子平均浓度≥第一发光层中n型杂质原子平均浓度；第二发光层中Al原子平均浓度＞第一发光层中Al原子平均浓度＞发光区缓冲层中Al原子平均浓度。

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