恭喜恩特格里斯公司P·S·H·陈获国家专利权
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龙图腾网恭喜恩特格里斯公司申请的专利气相沉积前体化合物及使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115768919B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180040494.4，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权气相沉积前体化合物及使用方法是由P·S·H·陈;E·孔多;B·C·亨德里克斯;T·H·鲍姆;D·凯珀设计研发完成，并于2021-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本气相沉积前体化合物及使用方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种沉积抗蚀刻SiOCN膜的等离子体增强型原子层沉积PEALD方法。这些膜提供改良的生长速率、改良的步阶覆盖率及对湿蚀刻剂及含有O2及NH3共反应物之后沉积等离子体处理的极佳抗蚀刻性。此种PEALD方法依赖于一或多种前体与等离子体暴露串联反应以沉积SiOCN的抗蚀刻薄膜。在沉积后及在后沉积等离子体处理后，所述膜均呈现对用稀HF水溶液湿蚀刻的极佳抗性。因此，预期这些膜呈现针对装置制造及构建期间所使用的后沉积制造步骤的极佳稳定性。
本发明授权气相沉积前体化合物及使用方法在权利要求书中公布了：1.一种在反应区中将氧碳氮化硅膜气相沉积到微电子装置表面上的方法，其包含将选自以下的反应物依序引入到所述反应区中：i至少一种硅烷胺、ii至少一种环氧乙烷基硅烷，其中i及ii是以任一顺序引入、及iii呈等离子体形式的还原气体，其中在将膜暴露于下一反应物之前吹扫各反应物，其中每分子所述硅烷胺具有两个硅原子，并且其中所述环氧乙烷基硅烷选自 下式化合物： 其中各R独立地选自C1-C4烷基，且x为零或1；下式化合物 其中各R1独立地选自C1-C4烷基基团或下式基团 其中各R3独立地选自氢或C1-C4烷基且x为零；及 其中各R2独立地选自氢或C1-C4烷基。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人恩特格里斯公司，其通讯地址为：美国马萨诸塞州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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