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龙图腾网恭喜成都第三象限未来科技有限公司;成都能太科技有限公司申请的专利一种太赫兹自旋选择性传输全硅超构器件设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113488582B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110593048.8，技术领域涉及：H10N50/20；该发明授权一种太赫兹自旋选择性传输全硅超构器件设计方法是由李继涛;岳震;李杰;郑程龙设计研发完成，并于2021-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种太赫兹自旋选择性传输全硅超构器件设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种太赫兹自旋选择性传输全硅超构器件设计方法，包括S1、基于全硅有损材料构建基本结构，基本结构包括三个几何分布的椭圆条；S2、将S1中的基本结构进行周期延伸形成超表面。本发明强化太赫兹波与硅的相互作用，设计了自旋选择性透射全硅超表面，在太赫兹波段获得了优良的自旋选择性传输特性，圆二色性可达0.4，相比现有技术，本发明将自旋选择透射全硅超表面的圆二色性提高了30％左右。

本发明授权一种太赫兹自旋选择性传输全硅超构器件设计方法在权利要求书中公布了：1.一种太赫兹自旋选择性传输全硅超构器件设计方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、基于全硅有损材料构建基本结构，基本结构包括三个几何分布的椭圆条；硅材料为高阻硅；硅总厚度为500μm，其中衬底部分厚度h2＝300μm，结构深度h1＝200μm，结构的周期常数为P＝160μm；三个椭圆条中有两个椭圆条尺寸完全相同，长轴为L＝100μm，短轴为W2＝20μm，第三个椭圆条长轴尺寸为L＝100μm，但短轴为W1＝60μm；两个相同尺寸的椭圆条成对排列，中心距离为80μm，并与第三个椭圆条呈现θ＝45°倾斜夹角；令整个结构中心为坐标原点，两个相同尺寸的椭圆条的中心坐标分别为40，40和40，-40；第三个椭圆条的长轴平行于坐标y轴，短轴平行于坐标x轴，其中心坐标为-40，0；S2、将S1中的基本结构进行周期延伸形成超表面；三个椭圆条中有两个椭圆条尺寸完全相同，两个相同尺寸的椭圆条成对排列，并与第三个椭圆条呈现45°倾斜夹角；第三个椭圆条的长轴与另外两个椭圆条长轴相同，短轴不同。

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