恭喜日月光半导体制造股份有限公司黄文宏获国家专利权
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龙图腾网恭喜日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113540016B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110590480.1，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权半导体封装结构及其形成方法是由黄文宏;锺燕雯设计研发完成，并于2021-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种半导体封装结构及其形成方法。半导体封装结构包括：载板；第一电路层，具有贯穿第一电路层的第一导电件以电连接至载板；第二电路层，与第一电路层位于载板的同一侧上，并且具有贯穿第二电路层的第二导电件以电连接至载板；其中，第一电路层与第二电路层在横向上分离，并且第一电路层通过载板电连接至第二电路层。
本发明授权半导体封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：载板；第一电路层，具有贯穿所述第一电路层的第一导电件以电连接至所述载板；第二电路层，与所述第一电路层位于所述载板的第一侧上，并且具有贯穿所述第二电路层的第二导电件以电连接至所述载板；粘接层，设置在所述载板与所述第一电路层和所述第二电路层之间，并且所述第一导电件和所述第二导电件贯穿所述粘接层，其中，所述第一电路层与所述第二电路层在横向上分离，并且在紧邻于所述第一电路层和所述第二电路层之间间隔的位置处，所述第一电路层通过所述第一导电件、所述第二导电件和所述载板的顶面上方的线路电连接至所述第二电路层，同时在所述间隔处，所述第一导电件、所述第二导电件通过贯穿所述载板的线路连接至所述载板的第二侧上的导电连接件，其中，所述第一侧和所述第二侧相对。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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