恭喜三星电子株式会社金镇南获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113745184B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110591093.X,技术领域涉及:H01L23/48;该发明授权半导体器件是由金镇南;金石镐;罗勋奏;文光辰设计研发完成,并于2021-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了:本发明提供一种半导体器件,该半导体器件包括:衬底,具有其上设置有有源区的第一表面和与第一表面相反的第二表面;掩埋导线,在一个方向上延伸并具有被掩埋在有源区中的部分;覆盖掩埋导线的绝缘部分;设置在绝缘部分上并连接到掩埋导线的接触结构;从第二表面延伸到绝缘部分并暴露掩埋导线的掩埋部分的贯穿孔;设置在掩埋导线的侧表面上并暴露掩埋部分的底表面和与底表面相邻的侧表面的绝缘隔离膜;接触掩埋导线的底表面和相邻的侧表面的贯穿通路;围绕贯穿通路的绝缘衬层。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件,包括:衬底,具有彼此相反的第一表面和第二表面,并且在所述第一表面处提供有有源区,其中所述有源区具有在第一方向上延伸的多个有源鳍;限定所述有源区的第一隔离区,其中所述第一隔离区的底表面低于所述衬底的所述第一表面的最高表面;限定所述多个有源鳍的第二隔离区,其中所述第二隔离区的底表面高于所述第一隔离区的所述底表面;掩埋导线,被掩埋在所述第二隔离区中并在所述第一方向上延伸;绝缘隔离膜,包括设置在所述第二隔离区和所述掩埋导线之间的第一部分;层间绝缘层,设置在所述第一隔离区和所述第二隔离区上,并覆盖所述掩埋导线;接触结构,穿透所述层间绝缘层并连接到所述掩埋导线;贯穿孔,从所述衬底的所述第二表面朝向所述衬底的所述第一表面延伸并暴露所述掩埋导线的一部分,其中所述掩埋导线的暴露部分朝向所述衬底的所述第二表面延伸超过所述第二隔离区的所述底表面;贯穿通路,设置在所述贯穿孔中并且接触所述掩埋导线的所述暴露部分的底表面和所述掩埋导线的所述暴露部分的侧表面,其中所述掩埋导线的所述暴露部分的所述侧表面与所述掩埋导线的所述暴露部分的所述底表面相邻;以及绝缘衬层,设置在所述贯穿孔的内侧壁和所述贯穿通路之间。
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