恭喜格芯(美国)集成电路科技有限公司M·D·莱维获国家专利权
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龙图腾网恭喜格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利光电二极管和/或PIN二极管结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113809198B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110591949.3，技术领域涉及：H10F30/223；该发明授权光电二极管和/或PIN二极管结构是由M·D·莱维;S·P·埃杜苏米利;V·贾因;J·J·埃利斯-莫纳甘设计研发完成，并于2021-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电二极管和/或PIN二极管结构在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体结构，更具体地涉及光电二极管和或PIN二极管结构及制造方法。该结构包括：位于沟槽内的至少一个垂直柱特征；从至少一个垂直柱特征的侧壁横向延伸的光敏半导体材料；以及电连接到光敏半导体材料的接触。
本发明授权光电二极管和/或PIN二极管结构在权利要求书中公布了：1.一种光电探测器结构，包括：位于沟槽内的至少一个垂直柱特征；位于所述沟槽的底表面和所述至少一个垂直柱特征的顶部上且与所述至少一个垂直柱特征的所述顶部接触的阻挡材料，所述阻挡材料是反射性的绝缘体材料；从所述至少一个垂直柱特征的侧壁横向延伸的光敏半导体材料；以及电连接到所述光敏半导体材料的接触。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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