恭喜高通股份有限公司杨海宁获国家专利权
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龙图腾网恭喜高通股份有限公司申请的专利设备沟道轮廓结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115699294B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180037914.3，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权设备沟道轮廓结构是由杨海宁;C·郭;鲍军静设计研发完成，并于2021-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本设备沟道轮廓结构在说明书摘要公布了：可以改进晶体管沟道轮廓结构以提供更好的晶体管电路性能。在一个示例中，晶体管电路可以针对NMOS晶体管和PMOS晶体管包括不同的鳍轮廓，诸如NMOS鳍150比PMOS鳍120厚，或者NMOS鳍具有直的垂直表面并且PMOS鳍在鳍底部区域处具有凹口。在又一示例中，晶体管电路可以针对NMOSGAA器件和PMOSGAA器件包括不同的纳米片轮廓，其中NMOS纳米片比PMOS纳米片厚。这种配置优化了NMOS晶体管和PMOS晶体管，其中NMOS具有低沟道电阻，而PMOS具有较低的短沟道效应。
本发明授权设备沟道轮廓结构在权利要求书中公布了：1.一种晶体管电路，包括：第一鳍式场效应晶体管，包括具有第一宽度的第一鳍，所述第一鳍式场效应晶体管被配置为p型鳍式场效应晶体管；以及第二鳍式场效应晶体管，包括具有第二宽度的第二鳍，所述第二鳍式场效应晶体管被配置为n型鳍式场效应晶体管，其中所述第一宽度包括第一顶部宽度和第一底部宽度，并且所述第一顶部宽度小于所述第一底部宽度，并且其中所述第一宽度还包括在所述第一顶部宽度与所述第一底部宽度之间的第一凹口宽度，并且所述第一凹口宽度小于所述第一底部宽度，其中所述第二宽度包括第二顶部宽度和第二底部宽度，其中所述第一底部宽度小于所述第二底部宽度，并且其中所述第二鳍具有没有凹口的直的竖直表面；以及栅极，在所述第一鳍与所述第二鳍上。
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