恭喜华邦电子股份有限公司池田典昭获国家专利权
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龙图腾网恭喜华邦电子股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005828B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110536763.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体装置及其制造方法是由池田典昭设计研发完成，并于2021-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括半导体衬底、字线与位线。半导体衬底具有彼此分离且沿第一方向延伸的有源区。字线形成于半导体衬底中。有源区分别地与一个或多个字线相交。字线分别地具有宽部与沿第二方向连续性延伸于宽部上的窄部。宽部位于字线与有源区相交处。位线形成于半导体衬底之上，且沿与第一方向以及第二方向相交的第三方向延伸。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体衬底，具有彼此分离且沿第一方向延伸的有源区；字线，形成于所述半导体衬底中，其中所述有源区分别地与一个或多个所述字线相交，所述字线包括导电材料，所述导电材料具有宽部以及沿第二方向连续地延伸于所述宽部上的窄部，且所述宽部位于所述字线与所述有源区相交处；以及位线，形成于所述半导体衬底之上且沿与所述第一方向以及所述第二方向相交的第三方向延伸，其中所述窄部的第一区段位于所述有源区内且位于所述宽部的上方，所述窄部的第二区段于所述有源区之间延伸，且所述窄部的所述第二区段分别为底部以及较宽于所述底部的顶部。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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