恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司蔡凤萍获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115249644B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110469138.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的形成方法是由蔡凤萍;刘继全设计研发完成，并于2021-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成介质层；在介质层上形成图形化的第一掩膜层；在第一掩膜层上形成初始第二掩膜层，所述初始第二掩膜层的材料与第一掩膜层的材料不同；以所述初始第二掩膜层和第一掩膜层为掩膜刻蚀所述介质层，在介质层内形成开口，并在第一掩膜层上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层的顶部角呈圆角；在开口内形成导电结构。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底上形成介质层；在介质层上形成图形化的第一掩膜层；在第一掩膜层上形成初始第二掩膜层，所述初始第二掩膜层的材料与第一掩膜层的材料不同；在初始第二掩膜层上形成第三掩膜层，所述第三掩膜层的材料与初始第二掩膜层的材料不同，所述第一掩膜层、初始第二掩膜层和第三掩膜层的形成方法包括：在介质层上形成第一掩膜材料层；在第一掩膜材料层上形成第二掩膜材料层；在第二掩膜材料层上形成第三掩膜材料层；在第三掩膜材料层上形成图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述第三掩膜材料层、第二掩膜材料层和第一掩膜材料层，直至暴露出介质层表面，形成所述第一掩膜层、初始第二掩膜层和第三掩膜层；以所述第三掩膜层、初始第二掩膜层和第一掩膜层为掩膜刻蚀所述介质层，在介质层内形成开口，并在第一掩膜层上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层的顶部角呈圆角；在开口内形成导电结构。
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