恭喜爱思开海力士有限公司辛在贤获国家专利权
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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078499B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110382745.9，技术领域涉及：G11C7/12；该发明授权半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法是由辛在贤;金兑祜;梁仁坤;林星默设计研发完成，并于2021-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法在说明书摘要公布了：本文提供了一种半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法。该半导体存储器装置包括存储器块、外围电路和控制逻辑。存储器块包括分别联接到多条源极选择线的多个子块。外围电路对存储器块执行编程操作。控制逻辑被配置为控制外围电路，以增大联接到存储器块的公共源极线的电压，将多条源极选择线当中的至少一条源极选择线的电压增大到第一电压电平，以及设置联接到存储器块的位线的电压并且将至少一条源极选择线的电压从第一电压电平增大到第二电压电平。
本发明授权半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：存储器块，所述存储器块具有分别联接到多条源极选择线的多个子块；外围电路，所述外围电路被配置为对所述存储器块执行数据编程操作；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路以：增大联接到所述存储器块的公共源极线的电压，将所述多条源极选择线当中的至少一条源极选择线的电压增大到第一电压电平，并且设置联接到所述存储器块的位线的电压，并且将所述至少一条源极选择线的电压从所述第一电压电平增大到第二电压电平。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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