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龙图腾网恭喜苏州汇川联合动力系统股份有限公司申请的专利MOSFET门极串扰钳位电路、控制方法及控制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112688289B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110072434.2，技术领域涉及：H02H9/04；该发明授权MOSFET门极串扰钳位电路、控制方法及控制器是由刘璐;张太之设计研发完成，并于2021-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本MOSFET门极串扰钳位电路、控制方法及控制器在说明书摘要公布了：本发明涉及电控技术领域，尤其涉及一种MOSFET门极串扰钳位电路、控制方法及控制器。所述电路包括：MOSFET驱动单元、抗扰单元及驱动芯片；其中，所述MOSFET驱动单元的门极与所述驱动芯片的第一驱动端连接，所述抗扰单元的第一端与所述MOSFET驱动单元的门极连接，所述抗扰单元的第二端与所述驱动芯片的负压端或接地端连接；所述抗扰单元，用于接收在MOSFET开关过程中引起的串扰电压；所述驱动芯片，用于控制所述抗扰单元降低所述串扰电压。本发明通过上述电路对MOSFET驱动单元的门极进行隔离与钳位，有效抑制了门极串扰电压。

本发明授权MOSFET门极串扰钳位电路、控制方法及控制器在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET门极串扰钳位电路，其特征在于，所述MOSFET门极串扰钳位电路包括：MOSFET驱动单元、抗扰单元及驱动芯片；其中，所述MOSFET驱动单元的门极与所述驱动芯片的第一驱动端连接，所述抗扰单元的第一端与所述MOSFET驱动单元的门极连接，所述抗扰单元的第二端与所述驱动芯片的负压端或接地端连接；所述抗扰单元，用于接收在MOSFET开关过程中引起的串扰电压；所述驱动芯片，用于控制所述抗扰单元降低所述串扰电压；所述抗扰单元包括并联相接于所述门极与所述驱动芯片的负压端之间的泄流单元和钳位单元，所述驱动芯片控制所述泄流单元的通断，所述钳位单元接收并抑制所述MOSFET驱动单元的感性串扰电压和容性串扰电压；所述泄流单元包括第一二极管及MOS管，所述第一二极管的阳极和所述MOSFET驱动单元的门极连接，所述第一二极管的阴极和所述MOS管的漏极连接，所述MOS管的源极与所述驱动芯片的负压端连接，所述MOS管的门极与驱动芯片的第二驱动端连接；所述钳位单元包括第一电阻和第二二极管，所述第一电阻的一端与所述MOSFET驱动单元的门极连接，所述第一电阻的另一端与所述第二二极管的阴极连接，所述第二二极管的阳极与所述驱动芯片的负压端连接。

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